[发明专利]一种用于化合物半导体薄膜及太阳电池的脉冲电沉积制备高质量铟薄膜的方法在审
| 申请号： | 201710664869.X | 申请日： | 2017-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN107507874A | 公开（公告）日： | 2017-12-22 |
| 发明（设计）人： | 毕金莲;敖建平;高青;张照景;孙国忠;周志强;何青;张毅;孙云 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0392;C25D5/18;C25D3/54 |
| 代理公司： | 天津耀达律师事务所12223 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300071*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种用于化合物半导体薄膜及太阳电池的脉冲电沉积制备高质量铟薄膜的方法。现有电沉积方法制备的In薄膜表面呈“岛状”形貌，影响薄膜成分和厚度均匀性，对制备高质量半导体薄膜产生不利影响。本发明提供的脉冲电沉积方法在室温下InCl3或In2(SO4)3水溶液中，在阴极金属衬底上施加脉冲电流信号，通过控制脉冲电流密度、脉冲频率和占空比控制金属形核和生长过程，降低晶核尺寸，形成平整致密薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 化合物 半导体 薄膜 太阳电池 脉冲 沉积 制备 质量 方法 | ||
【主权项】：
一种用于化合物半导体薄膜及太阳电池的脉冲电沉积制备高质量铟薄膜的方法，其特征在于：在室温温度下的InCl3或In2(SO4)3水溶液中，在阴极金属衬底上施加脉冲电流信号，通过控制脉冲电流信号的参数控制In层沉积，制备得到用于制备半导体薄膜及器件的平整In层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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