[发明专利]一种用于化合物半导体薄膜及太阳电池的脉冲电沉积制备高质量铟薄膜的方法

权利要求书

1.一种用于化合物半导体薄膜及太阳电池的脉冲电沉积制备高质量铟薄膜的方法，其特征在于：在室温温度下的InCl₃或In₂(SO₄)₃水溶液中，在阴极金属衬底上施加脉冲电流信号，通过控制脉冲电流信号的参数控制In层沉积，制备得到用于制备半导体薄膜及器件的平整In层。

2.按照权利要求1所述的一种用于化合物半导体薄膜及太阳电池的脉冲电沉积制备高质量铟薄膜的方法，其特征在于：所述金属衬底包括Mo衬底和Cu衬底。

3.按照权利要求1所述的一种用于化合物半导体薄膜及太阳电池的脉冲电沉积制备高质量铟薄膜的方法，其特征在于：电沉积In所需InCl₃或In₂(SO₄)₃水溶液，pH值为1.5～2。

4.按照权利要求1所述的一种用于化合物半导体薄膜及太阳电池的脉冲电沉积制备高质量铟薄膜的方法，其特征在于：所述脉冲电流信号的参数包括脉冲电流密度、脉冲频率和占空比。

5.按照权利要求1所述的一种用于化合物半导体薄膜及太阳电池的脉冲电沉积制备高质量铟薄膜的方法，其特征在于：制备的半导体薄膜及器件包括Cu(In,Ga)Se₂、CuInSe₂、Cu(In,Ga)S₂、CuInS₂、InP、InAs、In₂S₃和In₂Se₃薄膜及器件。

6.按照权利要求4所述的一种用于化合物半导体薄膜及太阳电池的脉冲电沉积制备高质量铟薄膜的方法，其特征在于：所述脉冲电流密度大于12.5mAcm^-2。

7.按照权利要求4所述的一种用于化合物半导体薄膜及太阳电池的脉冲电沉积制备高质量铟薄膜的方法，其特征在于：脉冲频率为10～100000Hz，占空比为5％～99.99％。