[发明专利]一种碳化硅探测二极管及制作方法

摘要

本发明公开了一种碳化硅探测二极管及制作方法，具体实现方法包括两种方案：方案一：在碳化硅衬底上生长第一掺杂类型层，在第一掺杂类型层上进行第二掺杂类型离子注入，通过高温退火完成注入杂质激活，制作二极管阳极和阴极；方案二：在碳化硅衬底上生长第一掺杂类型层，在第一掺杂类型层上进行第二掺杂类型层生长，在第二掺杂类型层上进行第二类型掺杂区注入，在器件边缘通过碳化硅刻蚀形成台阶，制作二极管阳极和阴极。本发明通过改善器件有源区部分注入及金属化结构使得表面全部耗尽成为探测灵敏区，减小死区或消除表面探测死区。

主权项

1.一种碳化硅探测二极管，其特征在于：包括碳化硅衬底，碳化硅衬底上方为第一掺杂类型层，第一掺杂类型层上方包括第二掺杂类型离子注入区，第二掺杂类型离子注入区上方设置欧姆基础阳极，碳化硅衬底下方设置阴极；第二掺杂类型离子注入区包括若干间隔的区域；其中，若干宽度较大的区域，用以制作欧姆基础阳极，掺杂浓度较大；若干宽度较小的间隔区域，外侧间距由内向外逐渐增大，掺杂浓度较小。