[发明专利]QLED器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201710662652.5 | 申请日： | 2017-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN108346749A | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 陈亚文;宋晶尧;付东 | 申请（专利权）人： | 广东聚华印刷显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 郑彤 |
| 地址： | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种QLED器件及其制备方法，QLED器件包括依次层叠设置的基板、阳极、空穴注入层、无机半导体层、量子点发光层、电子注入层以及阴极；所述空穴注入层的材质为金属氧化物纳米粒。上述QLED器件通过采用金属氧化物纳米作为空穴注入层，同时在量子点发光层与空穴传输层之间引入一层与量子点壳层组分一致的无机半导体薄膜，保证了无机半导体层与量子点发光层之间良好的空穴注入性，从而有效提高空穴注入层到无机半导体薄膜的注入传输。采用全无机材料制备量子点发光二极管，能有效提高器件的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 空穴注入层 量子点 发光层 制备 无机半导体薄膜 无机半导体层 金属氧化物纳米 阴极 电子注入层 发光二极管 金属氧化物 空穴传输层 空穴注入性 量子点壳 无机材料 依次层叠 阳极 纳米粒 基板 传输 引入 保证 | ||
【主权项】：
1.一种QLED器件，其特征在于，包括依次层叠设置的基板、阳极、空穴注入层、无机半导体层、量子点发光层、电子注入层以及阴极；所述空穴注入层的材质为金属氧化物纳米粒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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