[发明专利]QLED器件及其制备方法

权利要求书

1.一种QLED器件，其特征在于，包括依次层叠设置的基板、阳极、空穴注入层、无机半导体层、量子点发光层、电子注入层以及阴极；

所述空穴注入层的材质为金属氧化物纳米粒。

2.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述金属氧化物纳米粒选自NiO、MoO₃、MoS₂、Cr₂O₃、Bi₂O₃、p型ZnO或p型GaN中的一种或几种。

3.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述无机半导体层的组分与所述量子点发光层的量子点材料的壳层组分相同。

4.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述量子点材料为Ⅱ﹣Ⅵ族化合物半导体核壳结构、Ⅲ﹣Ⅴ族化合物半导体核壳结构或Ⅳ﹣Ⅵ族化合物半导体核壳结构。

5.根据权利要求4所述的QLED器件，其特征在于，所述量子点材料选自CdS/ZnS、CdSe/ZnS、CdSe/CdS/ZnS、PbS/ZnS或PbSe/ZnS。

6.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述无机半导体层的厚度为5nm-20nm。

7.根据权利要求1-6任一项所述的QLED器件，其特征在于，所述电子注入层的材质选自ZnO、TiO₂、SnO、ZrO₂、Ta₂O₃、AlZnO、ZnSnO或InSnO中的一种或几种。

8.根据权利要求1-6任一项所述的QLED器件，其特征在于，所述阳极为透明导电薄膜或反射导电薄膜；所述透明导电薄膜选自ITO、FTO或ZTO；所述反射导电薄膜选自Al、Ag、Cu、Mo、Au或它们的合金。

9.根据权利要求1-6任一项所述的QLED器件，其特征在于，所述阴极为透明导电薄膜或反射导电薄膜，所述透明导电薄膜选自ITO、FTO或ZTO；所述反射导电薄膜选自Al、Ag、Cu、Mo、Au或它们的合金；所述基板为玻璃衬底或柔性衬底。

10.权利要求1-9任一项所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、提供一基板，所述基板上具有图像化阳极；

S2、于所述阳极上沉积金属氧化物纳米颗粒薄膜形成空穴注入层；

S3、于所述空穴注入层上采用ALD工艺沉积无机半导体层；

S4、于所述无机半导体层上沉积量子点材料形成量子点发光层；所述无机半导体层的组分与所述量子点材料的壳层组分相同；

S5、于所述量子点发光层上沉积电子注入层以及阴极；

S6、封装，即得所述QLED器件。