[发明专利]一种利用晶硅切割废砂浆制备碳化硅纳米晶须的方法有效

专利信息
申请号: 201710661415.7 申请日: 2017-08-04
公开(公告)号: CN107587187B 公开(公告)日: 2020-06-16
发明(设计)人: 向道平;曹月 申请(专利权)人: 海南大学
主分类号: C30B1/10 分类号: C30B1/10;C30B29/36;C30B29/62;B82Y40/00;B82Y30/00
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 代理人: 许菲菲
地址: 570228 海*** 国省代码: 海南;46
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摘要: 发明公开了一种利用晶硅切割废砂浆制备碳化硅纳米晶须的方法;该方法将晶硅切割废砂浆和有机溶剂混合搅拌,过滤得到固体废料;将所述固体废料烘干,研磨得到原料粉体;将植物纤维通过超声法清洗干净并烘干;将原料粉体与处理后所得植物纤维放在放电等离子系统中,控制温度为1100~1600℃,通过惰性气体控制压强为100~800Pa,反应10~40min,制得碳化硅纳米晶须并获得碳化硅磨料。本发明简化了晶硅切割废砂浆传统回收方法中对硅与碳化硅分别提取的复杂工艺过程,且使得晶硅切割废砂浆能够直接制备碳化硅纳米晶须;本发明在制得碳化硅纳米晶须的同时还获得碳化硅磨料。
搜索关键词: 一种 利用 切割 砂浆 制备 碳化硅 纳米 方法
【主权项】:
一种利用晶硅切割废砂浆制备碳化硅纳米晶须的方法,其特征在于包括以下步骤:1)将晶硅切割废砂浆和有机溶剂混合搅拌,过滤得到固体废料;2)将所述固体废料烘干,研磨得到原料粉体;3)将植物纤维通过超声法清洗干净并烘干;4)将原料粉体与步骤3)处理后所得植物纤维放在放电等离子系统中,控制温度为1100~1600℃,通过惰性气体控制压强为100~800Pa,反应10~40min,制得碳化硅纳米晶须并获得碳化硅磨料;所述原料粉体与步骤3)处理后所得植物纤维的质量比为1:1~1:2。
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