[发明专利]存储装置及电容元件有效
| 申请号： | 201710660963.8 | 申请日： | 2017-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN108630685B | 公开（公告）日： | 2023-01-06 |
| 发明（设计）人： | 野岛和弘 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00;H10N97/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种能够降低电路区域中的占有率的存储装置及电容元件。实施方式的电容元件具备：多个第1电极层，在第1方向上积层；第1导电体，贯通所述多个第1电极层而在所述第1方向上延伸；以及第1绝缘层，沿着所述第1导电体在所述第1方向上延伸，且位于所述第1导电体与所述多个第1电极层之间；且该电容元件包含设置在所述第1导电体与所述多个第1电极层之间的第1电容。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 电容 元件 | ||
【主权项】：
1.一种电容元件，其特征在于具备：多个第1电极层，在第1方向上积层；第1导电体，贯通所述多个第1电极层而在所述第1方向上延伸；以及第1绝缘层，沿着所述第1导电体在所述第1方向上延伸，且位于所述第1导电体与所述多个第1电极层之间；且该电容元件包含分别设置在所述第1导电体与所述多个第1电极层之间的第1电容。
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