[发明专利]存储装置及电容元件

说明书

本发明的实施方式提供一种能够降低电路区域中的占有率的存储装置及电容元件。实施方式的电容元件具备：多个第1电极层，在第1方向上积层；第1导电体，贯通所述多个第1电极层而在所述第1方向上延伸；以及第1绝缘层，沿着所述第1导电体在所述第1方向上延伸，且位于所述第1导电体与所述多个第1电极层之间；且该电容元件包含设置在所述第1导电体与所述多个第1电极层之间的第1电容。

[相关申请]

本申请享有以日本专利申请2017-53512号(申请日：2017年3月17日)作为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

实施方式涉及一种存储装置及电容元件。

背景技术

已知一种具有配置着多个存储单元的存储区域、以及包含电容元件且驱动存储单元的电路区域的存储装置。

发明内容

实施方式提供一种能够降低电路区域的占有率的存储装置及电容元件。

实施方式的电容元件具备：多个第1电极层，在第1方向上积层；第1导电体，贯通所述多个第1电极层而在所述第1方向上延伸；以及第1绝缘层，沿着所述第1导电体在所述第1方向上延伸，且位于所述第1导电体与所述多个第1电极层之间；且该电容元件包含分别设置在所述第1导电体与所述多个第1电极层之间的第1电容。

附图说明

图1(a)及(b)是表示第1实施方式的存储装置的示意图。

图2是表示第1实施方式的存储装置的存储区域的示意俯视图。

图3是表示第1实施方式的电容元件的示意剖视图。

图4是表示第1实施方式的电容元件的配线的示意俯视图。

图5是表示第1实施方式的第1变化例的电容元件的示意剖视图。

图6是表示第1实施方式的第1变化例的电容元件的配线的示意俯视图。

图7是表示第1实施方式的第2变化例的电容元件的示意剖视图。

图8是表示第1实施方式的第2变化例的电容元件的配线的示意俯视图。

图9是表示第2实施方式的电容元件的示意剖视图。

图10是表示比较例的电容元件的示意剖视图。

图11是表示第2实施方式的电容元件的制造过程的示意剖视图。

图12(a)及(b)、图13(a)及(b)、图14(a)及(b)、图15(a)及(b)是表示继图11之后的制造过程的示意图。

图16是表示继图15(b)之后的制造过程的示意剖视图。

图17是表示继图16之后的制造过程的示意俯视图。

图18(a)及(b)是表示继图17之后的制造过程的示意图。

图19(a)～(c)是表示第2实施方式的变化例的电容元件的制造过程的示意剖视图。

图20是表示第3实施方式的存储装置的示意剖视图。

具体实施方式

以下，一边参照附图一边对实施方式进行说明。对附图中的相同部分标注相同编号并适当省略其详细的说明，而对不同部分进行说明。此外，附图是示意性或概念性的图，各部分的厚度与宽度的关系、部分间的大小的比率等未必与实际相同。另外，即便在表示相同部分的情况下，也存在根据附图将相互的尺寸或比率表示为不同的情况。