[发明专利]穿隧场效晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201710655620.2 | 申请日： | 2017-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN109390394B | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 刘安淇;林俊贤 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种穿隧场效晶体管及其制作方法。制作穿隧场效晶体管的方法主要包含先提供一基底，再形成一介质层于基底上，其中形成介质层的步骤又包含先进行一等离子体处理制作工艺以通入含氮的第一气体、通入含氧的第二气体再通入一前驱物并使前驱物与第一气体以及第二气体反应以形成该介质层。 | ||
| 搜索关键词： | 穿隧场效 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作穿隧场效晶体管的方法，包含：提供一基底；以及形成一介质层于该基底上，其中形成该介质层的步骤包含：进行一等离子体处理制作工艺以通入含氮的第一气体；通入含氧的第二气体；以及通入一前驱物并使该前驱物与该第一气体及该第二气体反应以形成该介质层。
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