[发明专利]穿隧场效晶体管及其制作方法有效

申请号：	201710655620.2	申请日：	2017-08-03
公开（公告）号：	CN109390394B	公开（公告）日：	2022-08-02
发明（设计）人：	刘安淇;林俊贤	申请（专利权）人：	联华电子股份有限公司
主分类号：	H01L29/739	分类号：	H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331
代理公司：	北京市柳沈律师事务所 11105	代理人：	陈小雯
地址：	中国台***	国省代码：	台湾;71
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	穿隧场效晶体管及其制作方法
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【说明书】：

本发明公开一种穿隧场效晶体管及其制作方法。制作穿隧场效晶体管的方法主要包含先提供一基底，再形成一介质层于基底上，其中形成介质层的步骤又包含先进行一等离子体处理制作工艺以通入含氮的第一气体、通入含氧的第二气体再通入一前驱物并使前驱物与第一气体以及第二气体反应以形成该介质层。

技术领域

本发明涉及一种制作穿隧场效晶体管的方法，尤其是涉及一种制作具有含氮介质层的穿隧场效晶体管的方法。

背景技术

在过去的数十年间，半导体集成电路工业迅速发发展，且随着半导体材料和技术的持续演进，相应产生了日益微缩且复杂的电路。由于半导体技术的不断演进，半导体元件的尺寸得以逐渐缩小，单位面积的半导体基板可以容纳的半导体元件数量也持续增加。然而，即便半导体元件尺寸的微缩已成功增加了元件的积集度，其也伴随带来了其他技术问题。举例而言，由于元件间变得更加紧密，不但造成了漏电流的增加，不同信号间的干扰程度也相应产生。此外，如何更有效地使用电源也是另一个需要解决的课题。

为了解决上述问题，目前业界已提出利用穿隧场效晶体管(tunneling fieldeffect transistor,TFET)以取代现有金属氧化物半导体场效晶体管(metal-oxide-semiconductor field effect transistor)的作法。其中，穿隧场效晶体管的特点在于可以提供较高的次临界摆幅(subthreshold swing,SS)，例如可达到60mV/dec，其电流开关比(I_on/I_off ratio)也高于现有的金属氧化物半导体场效晶体管，且其截止状态的漏电流也低于现有的金属氧化物半导体场效晶体管。

然而，现有的穿隧场效晶体管仍存有诸多问题需带克服，举例而言，现有的穿隧场效晶体管仍具有导通电流(I_on)过低的问题，而且其次临界摆幅仍存有改善的空间。

发明内容

本发明一实施例公开一种制作穿隧场效晶体管的方法，其主要包含先提供一基底，再形成一介质层于基底上，其中形成介质层的步骤又包含先进行一等离子体处理制作工艺以通入含氮的第一气体、通入含氧的第二气体再通入一前驱物并使前驱物与第一气体以及第二气体反应以形成该介质层。

本发明另一实施例公开一种穿隧场效晶体管，其主要包含：一介质层设于基底上，其中该介质层包含氮；一栅极电极设于介质层上；一源极区域设于栅极电极的一侧；以及一漏极区域设于栅极电极的另一侧。

附图说明

图1至图8为本发明一实施例制作垂直型穿隧场效晶体管的方法示意图；

图9至图11为本发明一实施例制作平面型穿隧场效晶体管的方法示意图。

主要元件符号说明

110 穿隧场效晶体管 112 基底

114 源极区域 116 穿隧区域

118 通道区域 120 漏极区域

122 图案化掩模 124 图案化掩模