[发明专利]一种半导体的测试方法和测试装置在审
| 申请号： | 201710644520.X | 申请日： | 2017-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN107591340A | 公开（公告）日： | 2018-01-16 |
| 发明（设计）人： | 卓恩宗;樊堃 | 申请（专利权）人： | 惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙)44240 | 代理人： | 邢涛 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市石岩街道水田村民营*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体材料的测试方法和测试装置，该测试方法包括步骤通过脉冲激光激发测试样品，产生光电导效应；探测光电导效应的衰弱信息；通过分析光电导效应和衰弱信息从而得到测试样品非平衡载流子的复合寿命。本发明的方法能够通过非接触的测试方法，完成测试样品非平衡载流子复合寿命的测试。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 测试 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体材料的测试方法，其特征在于，包括步骤：通过脉冲激光激发测试样品，产生光电导效应；探测光电导效应的衰弱信息；通过分析光电导效应和衰弱信息从而得到测试样品非平衡载流子的复合寿命。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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