[发明专利]一种半导体的测试方法和测试装置

权利要求书

1.一种半导体材料的测试方法，其特征在于，包括步骤：

通过脉冲激光激发测试样品，产生光电导效应；

探测光电导效应的衰弱信息；

通过分析光电导效应和衰弱信息从而得到测试样品非平衡载流子的复合寿命。

2.如权利要求1所述的一种测试方法，其特征在于，所述通过脉冲激光激发测试样品，产生光电导效应的步骤之前还包括：

检测测试样品的初始电导率σ₀，以及对应的初始微波信号V₀。

3.如权利要求2所述的一种测试方法，其特征在于，所述通过脉冲激光激发测试样品，产生光电导效应的步骤包括：

检测测试样品的电导率σ和微波信号V，并分别根据公式σ＝σ₀+Δσ求得Δσ，以及公式V＝V₀+ΔV求得ΔV；

Δσ为光致电导率的变化量，而ΔV为微波信号变化量。

4.如权利要求3所述的一种测试方法，其特征在于，所述光电导效应的效应公式为：

Δσ＝q(Δnμe+Δpμp)，其中Δσ为光致电导率的变化量，q为电子电量，Δn为激光激发产生的电子浓度，Δp为空穴浓度。

5.如权利要求4所述的一种测试方法，其特征在于，所述探测光电导效应的衰弱信息的步骤包括：

采用微波反射方式探测光电导效应的衰弱信息；

所述衰弱信号包括：微波信号V的指数衰减曲线，其公式为：

V＝V0*e^-t/τ；其中t指的是脉冲激光关断时间，τ指的是非平衡载流子在复合前的平均生存时间，称为非平衡载流子复合寿命。

6.如权利要求1所述的一种测试方法，其特征在于，所述脉冲激光的波长为：249nm-449nm。

7.如权利要求6所述的一种测试方法，其特征在于，所述脉冲激光的波长为349nm。

8.如权利要求1所述的一种测试方法，其特征在于，所述微波反射方式由可控微波源实现，所述可控微波源采用的微波波长为24-26GHZ。

9.一种测试装置，其特征在于，包括：

脉冲激光发射器，用于激发测试样品，产生光电导效应；

微波发生器，用于探测光电导效应的衰弱信息；

微波接收器，用于接收所述衰弱信息；

计算单元，用于通过分析光电导效应和衰弱信息从而得到测试样品非平衡载流子的复合寿命。

10.如权利要求9所述的一种测试装置，其特征在于，所述微波发生器采用波长为24-26GHZ的可控微波源；

所述脉冲激光发射器使用的脉冲激光的波长为349nm。