[发明专利]一种多芯片同步倒装机构及其封装工艺

摘要

本发明公开了一种多芯片同步倒装机构及其封装工艺，所述固晶平台的工作面设有多个芯片固定部，所述芯片固定部为凹槽或凸台；当倒装多个厚度相同的芯片时，所述固晶平台设置多个深度相同的凹槽或高度相同的凸台；当倒装多个厚度不完全相同的芯片时，所述固晶平台设置多个深度不完全相同的凹槽或高度不完全相同的凸台，补偿各个芯片之间的厚度差。实现多个芯片尤其是多种不同厚度和尺寸的芯片的一次倒装，还可实现系统级封装，即将多种具有不同功能的芯片包括处理器、存储器等芯片放置在同一个固晶平台内以实现系统级芯片组的一次倒装，在保证倒装质量的前提下，大大地降低倒装产成本和倒装难度，以及大大地提高倒装效率。

主权项

一种多芯片封装工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，选用具有多个深度不完全相同的凹槽的固晶平台，并在所述固晶平台的工作面涂覆临时键合胶；步骤二，所述芯片为凸点朝上地放置于所述固晶平台的凹槽上，并且深度越深的凹槽放置越厚的芯片，当固晶平台的所有凹槽均放置有芯片时，固晶平台上的所有芯片的凸点在同一平面上；步骤三，对步骤二排列好的芯片进行芯片间的相对位置均匀度和凸点高度均匀度检测，若检测结果为相对位置均匀度和凸点高度均匀度检测在设定范围内，则执行下一步骤；反之，则对芯片进行重新排列；步骤四，在基板的固晶摆放区的各个焊接点放置焊料，然后将所述固晶平台倒置并移动至所述固晶摆放区上，使芯片的凸点朝下，并且调整固晶平台的位置直至所有芯片的凸点和所有芯片定位区的焊接点一一对准；步骤五，所述芯片和基板通过回流焊方式进行焊接，实现芯片和基板的机械连接和电气连接；步骤六，将所述固晶平台置于所述设定条件下直至临时键合胶失去黏性，然后所述固晶平台和芯片分离，实现芯片的倒装；步骤七，重复步骤一至六，直至所述基板的所有固晶摆放区均完成所述芯片的倒装；步骤八，对完成步骤七后的所述基板上的所有芯片进行塑封和切片，实现芯片的封装；所述步骤一到步骤八为使用多芯片同步倒装机构对多个厚度不完全相同的芯片进行封装，所述多芯片同步倒装机构包括固晶平台和基板，所述固晶平台和基板相对设置，所述固晶平台的工作面设有多个芯片固定部，所述芯片固定部为凹槽或凸台；当倒装多个厚度相同的芯片时，所述固晶平台设置多个深度相同的凹槽或高度相同的凸台；在所述步骤一中，当倒装多个厚度不完全相同的芯片时，所述固晶平台设置多个深度不完全相同的凹槽或高度不完全相同的凸台，补偿各个芯片之间的厚度差；在所述步骤一中，还包括用于固定所述芯片的临时键合胶，所述临时键合胶涂覆于固晶平台的工作面上，所述临时键合胶为在设定条件作用下易固化成型解键合使黏性失效的黏性聚合物；在所述步骤四中，所述基板设有与所述固晶平台对应的固晶摆放区，所述固晶摆放区设有多个芯片定位区，所述芯片定位区的分布和尺寸与固晶平台的芯片固定部镜像对应；所述芯片定位区设有多个与芯片的凸点镜像对应的焊接点，所述焊接点设有用于焊接芯片的凸点的焊料；当倒装多个不完全相同的芯片时，所述固晶平台设置多个深度不完全相同的凹槽和高度不完全相同的凸台，补偿各个芯片之间的高度差；在所述步骤二中，多个所述芯片固定部规则地分布于固晶平台的工作面上，分布最小单元为1unit×2unit的阵列；多个所述芯片固定部不规则地分布于固晶平台的工作面上；在所述步骤一中，多层所述临时键合胶涂覆于固晶平台的工作面上，所述临时键合胶的厚度为0.01mm～1mm；在所述步骤六中，所述设定条件为激光照射、紫外线照射、红外线照射、化学试剂浸泡和热激发中的至少一种。