[发明专利]光半导体装置有效
| 申请号： | 201710633483.2 | 申请日： | 2017-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN107666110B | 公开（公告）日： | 2019-11-01 |
| 发明（设计）人： | 中村直干;中井荣治 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/32 | 分类号： | H01S5/32;H01S5/34;H01S5/323 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于，得到一种能够抑制对接界面处的电流集中而使可靠性提高的光半导体装置。在n型半导体衬底(1)之上设置有n型包层(2)。在n型包层(2)之上设置有半导体激光器的有源层(3)和波导的波导层(4)。有源层(3)的侧面与波导层(4)的侧面相对。在有源层(3)及波导层(4)之上设置有p型包层(5)。中间层(8)设置于有源层(3)的侧面与波导层(4)的侧面之间及n型包层(2)与波导层(4)之间，没有设置于有源层(3)之上，带隙比波导层(4)的带隙大。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种光半导体装置，其特征在于，具备：n型半导体衬底；n型包层，其设置于所述n型半导体衬底之上；半导体激光器的有源层，其设置于所述n型包层之上；波导的波导层，其设置于所述n型包层之上，具有与所述有源层的侧面相对的侧面；p型包层，其设置于所述有源层及所述波导层之上；以及中间层，其设置于所述有源层的所述侧面与所述波导层的所述侧面之间及所述n型包层与所述波导层之间，没有设置于所述有源层之上，带隙比所述波导层的带隙大。
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