[发明专利]光半导体装置有效
| 申请号： | 201710633483.2 | 申请日： | 2017-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN107666110B | 公开（公告）日： | 2019-11-01 |
| 发明（设计）人： | 中村直干;中井荣治 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/32 | 分类号： | H01S5/32;H01S5/34;H01S5/323 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种光半导体装置，其特征在于，具备：
n型半导体衬底；
n型包层，其设置于所述n型半导体衬底之上；
半导体激光器的有源层，其设置于所述n型包层之上；
波导的波导层，其设置于所述n型包层之上，具有与所述有源层的侧面相对的侧面；
p型包层，其设置于所述有源层及所述波导层之上；以及
中间层，其设置于所述有源层的所述侧面与所述波导层的所述侧面之间及所述n型包层与所述波导层之间，没有设置于所述有源层之上，带隙比所述波导层的带隙大。
2.一种光半导体装置，其特征在于，具备：
p型半导体衬底；
p型包层，其设置于所述p型半导体衬底之上；
半导体激光器的有源层，其设置于所述p型包层之上；
波导的波导层，其设置于所述p型包层之上，具有与所述有源层的侧面相对的侧面；
n型包层，其设置于所述有源层及所述波导层之上；以及
中间层，其设置于所述有源层的所述侧面与所述波导层的所述侧面之间、所述p型包层和所述波导层之间及所述波导层和所述n型包层之间，没有设置于所述有源层之下，带隙比所述波导层的带隙大。
3.根据权利要求1或2所述的光半导体装置，其特征在于，
所述有源层是多重量子井构造，所述波导层是体构造或量子井构造。
4.根据权利要求1或2所述的光半导体装置，其特征在于，
所述中间层是未掺杂或p型。
5.根据权利要求1或2所述的光半导体装置，其特征在于，
所述中间层是InP、AlGaInAs或InGaAsP。
6.根据权利要求1或2所述的光半导体装置，其特征在于，
所述有源层及所述波导层是InGaAsP或AlGaInAs。
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