[发明专利]一种化合物半导体器件的背面制程方法

摘要

本发明公开了一种化合物半导体器件的背面制程方法，是在III‑V族化合物半导体晶片的背面依次沉积形成NiV/TiW的粘合层以及Au层，然后将激光聚焦在完成背面金属制程的晶片背面并进行二次扫描，其中第一次扫描形成深度为所述晶片总厚度40～60％的切槽，第二次扫描重复第一次扫描的路径以将晶片切割成分立的小芯片。通过NiV/TiW粘结层的设置，提高了背面金属和III‑V族化合物半导体之间的层间结合能力，制成的晶片可以直接用激光扫描切割达到划片的目的，而无需蚀刻背面金属形成切割道再来进行切割，不仅减少了黄光、刻蚀等多项工艺，而且解决由非均匀腐蚀引起的变色的缺陷，切割后的产品其边缘不会出现金属剥离的现象，显著提高产品的良率。

主权项

1.一种化合物半导体器件的背面制程方法，其特征在于包括以下步骤：1)将已完成正面制程的III‑V族化合物半导体晶片以正面向下的方式贴合于支撑材料上，进行研磨减薄以及制作背面通孔的工艺；2)于所述晶片背面沉积NiV层，所述NiV层由质量分数为90～97％的镍以及3～10％的钒组成，厚度为3～200nm；3)于所述NiV层上沉积TiW层，所述TiW层厚度为2～10nm；4)于所述TiW层上沉积Au层，所述Au层的厚度为0.5～25μm；5)将完成背面金属制程的晶片与支撑材料分离，利用激光划片技术，将激光聚焦在晶片背面并进行二次扫描，其中第一次扫描形成深度为所述晶片总厚度40～60％的切槽，第二次扫描重复第一次扫描的路径以将所述晶片切割成分立的芯片。