[发明专利]一种化合物半导体器件的背面制程方法有效
| 申请号： | 201710624897.9 | 申请日： | 2017-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN107579032B | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 周泽阳;邱宗德;庄秉翰;魏鸿基;程海英;吴小琦 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/768;H01L21/78 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭;陈淑娴 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 化合物 半导体器件 背面 方法 | ||
1.一种化合物半导体器件的背面制程方法，其特征在于包括以下步骤：
1)将已完成正面制程的III-V族化合物半导体晶片以正面向下的方式贴合于支撑材料上，进行研磨减薄以及制作背面通孔的工艺；
2)于所述晶片背面沉积NiV层，所述NiV层由质量分数为90～97％的镍以及3～10％的钒组成，厚度为3～200nm；
3)于所述NiV层上沉积TiW层，所述TiW层厚度为2～10nm；
4)于所述TiW层上沉积Au层，所述Au层的厚度为0.5～25μm；
5)将完成背面金属制程的晶片与支撑材料分离，利用激光划片技术，将激光聚焦在晶片背面并进行二次扫描，其中第一次扫描形成深度为所述晶片总厚度40～60％的切槽，第二次扫描重复第一次扫描的路径以将所述晶片切割成分立的芯片。
2.根据权利要求1所述的化合物半导体器件的背面制程方法，其特征在于：所述激光划片的移动速度为100～400mm/s。
3.根据权利要求1所述的化合物半导体器件的背面制程方法，其特征在于：所述激光的功率为3.0～6.5W。
4.根据权利要求1所述的化合物半导体器件的背面制程方法，其特征在于：所述激光入射角度与所述晶片背面垂直。
5.根据权利要求1所述的化合物半导体器件的背面制程方法，其特征在于：步骤1)中，所述晶片研磨减薄至70～120μm。
6.根据权利要求1所述的化合物半导体器件的背面制程方法，其特征在于：所述第一次扫描形成平行第一方向的多个线状第一切槽以及平行第二方向的多个线状第二切槽，且所述第一方向和第二方向互相垂直。
7.根据权利要求1所述的化合物半导体器件的背面制程方法，其特征在于：所述Au层是先沉积10～250nm的种子层，然后通过电镀沉积形成。
8.根据权利要求1所述的化合物半导体器件的背面制程方法，其特征在于：所述NiV层和TiW层通过磁控溅射原子沉淀积累在半导体芯片而形成薄膜。
9.根据权利要求1所述的化合物半导体器件的背面制程方法，其特征在于：所述III-V族化合物半导体是砷化镓，磷化铟或镓氮化物。
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