[发明专利]一种类金刚石薄膜及其制备方法

摘要

本发明公开了一种类金刚石薄膜的制备方法以及采用该方法制备的类金刚石薄膜，该方法包括如下步骤：S3.在基材上制备金属碳化物过渡层；S4.通过同时进行PECVD过程和PVD过程，在所述金属碳化物过渡层上形成金属W掺杂DLC过渡层，其中控制脉冲偏压逐渐升高，WC靶电流逐渐降低，使所述金属W掺杂DLC过渡层由内至外从以金属W为主体逐步过渡到以DLC为主体；S5.采用PECVD法在所述金属W掺杂DLC过渡层上形成DLC层。本发明在降低生产成本的同时，提高了DLC层与基材表面的结合力。

主权项

1.一种类金刚石薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S3.在基材上制备金属碳化物过渡层；S4.通过同时进行PECVD过程和PVD过程，在所述金属碳化物过渡层上形成金属W掺杂DLC过渡层，其中控制脉冲偏压逐渐升高，WC靶电流逐渐降低，使所述金属W掺杂DLC过渡层由内至外从以金属W为主体逐步过渡到以DLC为主体；S5.采用PECVD法在所述金属W掺杂DLC过渡层上形成DLC层；在步骤S3之前还包括步骤S2.在基材表面形成纯金属Cr或Ti过渡层；步骤S3中是在所述纯金属Cr或Ti过渡层上形成所述金属碳化物过渡层；所述步骤S3包括如下步骤：S31.在所述纯金属Cr或Ti过渡层上形成底层CrC过渡层或底层TiC过渡层；S32.在所述底层CrC过渡层上形成CrC和WC梯度混合层，或者，在所述底层TiC过渡层上形成TiC和WC梯度混合层；S33.在所述梯度混合层上形成中间WC过渡层。