[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201710616952.X | 申请日： | 2017-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN109309057A | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 宋春 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，所述半导体结构包括：衬底，所述衬底包括单元区，所述单元区包括器件区、保护区和隔离区，所述保护区包围所述器件区，所述隔离区包围所述保护区和器件区；位于所述衬底器件区的器件结构；位于所述保护区衬底上的保护环结构；位于所述隔离区衬底上的隔离结构；位于所述保护环结构、器件结构和隔离结构上的钝化层，所述隔离区钝化层中具有沟槽。所述沟槽能够防止所述钝化层暴露出所述保护环结构，从而能够减小外界空气腐蚀保护环结构，进而改善半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体结构 保护区 隔离区 环结构 衬底 钝化层 器件区 隔离结构 器件结构 单元区 包围 衬底器件 腐蚀保护 外界空气 减小 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括单元区，所述单元区包括器件区、保护区和隔离区，所述保护区包围所述器件区，所述隔离区包围所述保护区和器件区；位于所述衬底器件区的器件结构；位于所述保护区衬底上的保护环结构；位于所述隔离区衬底上的隔离结构；位于所述保护环结构、器件结构和隔离结构上的钝化层，所述隔离区钝化层中具有沟槽。
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