[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括单元区，所述单元区包括器件区、保护区和隔离区，所述保护区包围所述器件区，所述隔离区包围所述保护区和器件区；

位于所述衬底器件区的器件结构；

位于所述保护区衬底上的保护环结构；

位于所述隔离区衬底上的隔离结构；

位于所述保护环结构、器件结构和隔离结构上的钝化层，所述隔离区钝化层中具有沟槽。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述沟槽中具有缓冲层，所述缓冲层的机械强度大于所述隔离结构的机械强度。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离结构的材料为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述缓冲层的材料为有机聚合物。

5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述缓冲层的材料为有机光阻材料或有机抗反射层材料。

6.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述缓冲层还位于所述钝化层上。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述保护环结构包括多个层叠设置的保护单元；所述保护单元包括：位于所述保护区衬底上的保护介质层，位于所述保护介质层中的保护插塞和位于所述保护插塞上的保护金属层。

8.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述保护介质层的材料为氧化硅、氮氧化硅或氮化硅；所述保护插塞和所述保护金属层的材料为铝或铜。

9.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述保护环结构包括：第一保护环和第二保护环，所述第二保护环位于所述第一保护环和所述隔离区之间；所述第一保护层包括多个层叠设置的保护单元，所述第二保护层包括多个层叠设置的保护单元；

所述钝化层包括：位于所述第一保护环、第二保护环和隔离结构上的第一钝化层，所述第一保护环上的第一钝化层中具有顶层金属；位于所述顶层金属和第一钝化层上的第二钝化层。

10.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述第一钝化层的材料为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅；第二钝化层的材料为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅；所述顶层金属的材料为铝。

11.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底包括多个单元区；相邻单元区之间具有切割道区，所述切割道区衬底上具有切割结构，所述切割结构包括切割介质层和位于所述切割介质层中的切割金属层。

12.如权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述切割介质层的材料为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

13.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述沟槽贯穿所述钝化层，且延伸至所述隔离结构中。

14.如权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离结构和钝化层厚度之和与所述沟槽的深度之比值为9～11。

15.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括单元区，所述单元区包括器件区、保护区和隔离区，所述保护区包围所述器件区，所述隔离区包围所述保护区和器件区；

在所述器件区衬底上形成器件结构；

在所述保护区衬底上形成保护环结构；

在所述隔离区衬底上形成隔离结构；

在所述保护环结构、器件结构和隔离结构上形成钝化层；

在隔离区钝化层中形成沟槽。