[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201710614901.3 | 申请日： | 2017-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN109300838A | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 张城龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：形成基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的栅极结构以及位于相邻栅极结构之间衬底上的刻蚀停止层，所述刻蚀停止层还延伸至所述栅极结构的侧壁上；形成保护层，所述保护层覆盖相邻栅极结构之间的刻蚀停止层，且露出部分所述栅极结构侧壁上的刻蚀停止层；形成所述保护层之后，对露出的所述刻蚀停止层进行减薄处理。通过在减薄处理之前，形成所述保护层，在保证所述刻蚀停止层厚度的前提下，扩大相邻栅极结构之间间隙的宽度，降低层间介质层填充工艺难度和扩大接触孔工艺窗口的兼顾，有利于良率的提高，有利于所形成半导体结构性能的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀停止层 保护层 相邻栅极结构 半导体结构 衬底 减薄处理 栅极结构 基底 栅极结构侧壁 层间介质层 工艺窗口 工艺难度 接触孔 侧壁 良率 填充 延伸 覆盖 保证 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：形成基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的栅极结构以及位于相邻栅极结构之间衬底上的刻蚀停止层，所述刻蚀停止层还延伸至所述栅极结构的侧壁上；形成保护层，所述保护层覆盖相邻栅极结构之间的刻蚀停止层，且露出部分所述栅极结构侧壁上的刻蚀停止层；形成所述保护层之后，对露出的所述刻蚀停止层进行减薄处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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