[发明专利]包含存储器区域及逻辑区域的集成电路IC

摘要

本揭露涉及一种包含存储器区域及逻辑区域的集成电路IC。所述IC包括存储器区域及逻辑区域。下金属层安置在衬底上方，且包括在所述存储器区域内的第一下金属线。上金属层覆盖在所述下金属层上，且包括在所述存储器区域内的第一上金属线。存储器单元安置在所述第一下金属线与所述第一上金属线之间，且包括平坦底部电极。所述平坦底部电极邻接所述下金属层的第一下金属通路。通过形成所述平坦底部电极且透过所述下金属通路将所述平坦底部电极连接到所述下金属层，无需额外BEVA平坦化及/或图案化工艺。因此，减小损坏所述下金属线的风险，借此提供更可靠读取/写入操作及/或更佳性能。

主权项

一种包含存储器区域及逻辑区域的集成电路IC，所述集成电路IC包括：衬底；下金属层，其安置在所述衬底上方，且包括在所述存储器区域内的第一下金属线及在所述逻辑区域内的第二下金属线；上金属层，其覆盖在所述下金属层上，且包括在所述存储器区域内的第一上金属线及在所述逻辑区域内的第二上金属线；及存储器单元，其安置在所述第一下金属线与所述第一上金属线之间，且包括平坦底部电极及顶部电极，所述顶部电极与所述底部电极通过电阻切换组件而分离；其中所述存储器单元分别透过邻接所述平坦底部电极的第一下金属通路连接到所述第一下金属线，及透过邻接所述顶部电极的第一上金属通路连接到所述第一上金属线。