[发明专利]全介质膜DBR结构氮化镓面发射激光器的制备方法

摘要

全介质膜DBR结构氮化镓面发射激光器的制备方法，涉及激光器。在蓝宝石衬底上外延具有p‑down结构的激光器外延层；在外延片上制作图形化的介质膜DBR，然后磁控溅射n型电极；电镀铜作为替代支撑衬底并激光剥离去除蓝宝石衬底；生长SiO₂电流限制层及ITO电流扩展层；溅射p型电极、制作图形化的介质膜上DBR并分离器件完成器件的制备。实现了具有铜衬底、SiO₂电流限制层位于器件上表面的全介质膜GaN基面发射激光器。SiO₂电流限制层位于有源区上侧避免了位于有源区下侧与衬底之间所造成的有源区热量拥堵，散热差的问题，可以改善器件的散热性能并提高光功率。

主权项

1.全介质膜DBR结构氮化镓面发射激光器的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1)在蓝宝石衬底上外延具有p‑down结构的激光器外延层；2)在外延片上制作图形化的介质膜DBR，然后磁控溅射n型电极；3)电镀铜作为替代支撑衬底并激光剥离去除蓝宝石衬底；4)生长SiO₂电流限制层及ITO电流扩展层；5)溅射p型电极、制作图形化的介质膜上DBR并分离器件完成器件的制备；其中，使用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长p‑down结构的激光器外延层，具体操作为，依次生长未掺杂的u‑GaN外延层、掺Mg的p型GaN外延层、InGaN/GaN多量子阱有源层、掺Si的n型GaN外延层。