[发明专利]全介质膜DBR结构氮化镓面发射激光器的制备方法有效
| 申请号： | 201710609195.3 | 申请日： | 2017-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN107404066B | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 张保平;梅洋;许荣彬;应磊莹;郑志威 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/024 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 介质 dbr 结构 氮化 发射 激光器 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.全介质膜DBR结构氮化镓面发射激光器的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
1)在蓝宝石衬底上外延具有p-down结构的激光器外延层；
2)在外延片上制作图形化的介质膜DBR，然后磁控溅射n型电极；
3)电镀铜作为替代支撑衬底并激光剥离去除蓝宝石衬底；
4)生长SiO2电流限制层及ITO电流扩展层；
5)溅射p型电极、制作图形化的介质膜上DBR并分离器件完成器件的制备；
其中，使用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长p-down结构的激光器外延层，具体操作为，依次生长未掺杂的u-GaN外延层、掺Mg的p型GaN外延层、InGaN/GaN多量子阱有源层、掺Si的n型GaN外延层。
2.如权利要求1所述全介质膜DBR结构氮化镓面发射激光器的制备方法，其特征在于在步骤2)中，所述n型电极采用Cr/Au电极。
3.如权利要求1所述全介质膜DBR结构氮化镓面发射激光器的制备方法，其特征在于所述n型电极同时作为步骤3)中电镀用电极。
4.如权利要求1所述全介质膜DBR结构氮化镓面发射激光器的制备方法，其特征在于在步骤3)中，所述电镀铜作为替代支撑衬底采用电镀方法制作。
5.如权利要求1所述全介质膜DBR结构氮化镓面发射激光器的制备方法，其特征在于在步骤4)中，所述SiO2电流限制层位于有源区上侧，介于p型GaN与p型电极之间。
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