[发明专利]一种负升压电路、半导体器件及电子装置有效
| 申请号： | 201710602288.3 | 申请日： | 2017-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN109285572B | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 权彝振;倪昊;刘晓艳 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G11C5/14 | 分类号： | G11C5/14;G11C16/30 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;张建 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种负升压电路、半导体器件及电子装置。该负升压电路包括主升压单元，配置为产生基本偏压信号；副升压单元，配置为与所述主升压单元并联连接，用于产生附加偏压信号，以与所述基本偏压信号共同形成所述负偏压；电压检测器，配置基于所述负升压电路输出端的电压产生作用于所述副升压单元的电压检测信号，所述电压检测信号使所述副升压单元产生所述附加偏压信号；其中，所述副升压单元的数量大于等于2，且每个所述副升压单元均对应设置有所述电压检测器。本发明的负升压电路可以降低VCC、温度和工艺对负偏压的影响，缩小各工作条件负偏压的差距。本发明的半导体器件和电子装置具有更好的读操作性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 升压 电路 半导体器件 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种负升压电路，用于生成负偏压，其特征在于，包括：主升压单元，所述主升压单元配置为产生基本偏压信号；副升压单元，所述副升压单元配置为与所述主升压单元并联连接，用于产生附加偏压信号，以与所述基本偏压信号共同形成所述负偏压；电压检测器，所述电压检测器配置为检测所述负升压电路输出端的电压，以基于所述负升压电路输出端的电压产生作用于所述副升压单元的电压检测信号，并且在所述负升压电路输出端的电压的绝对值低于所述电压检测器的设定阈值的绝对值时，所述电压检测信号使所述副升压单元产生所述附加偏压信号；其中，所述副升压单元的数量大于等于2，且每个所述副升压单元均对应设置有所述电压检测器。
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