[发明专利]一种负升压电路、半导体器件及电子装置有效
申请号: | 201710602288.3 | 申请日: | 2017-07-21 |
公开(公告)号: | CN109285572B | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
发明(设计)人: | 权彝振;倪昊;刘晓艳 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | G11C5/14 | 分类号: | G11C5/14;G11C16/30 |
代理公司: | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人: | 高伟;张建 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 升压 电路 半导体器件 电子 装置 | ||
1.一种负升压电路,用于生成负偏压,其特征在于,包括:
主升压单元,所述主升压单元配置为产生基本偏压信号;
副升压单元,所述副升压单元配置为与所述主升压单元并联连接,用于产生附加偏压信号,以与所述基本偏压信号共同形成所述负偏压;
电压检测器,所述电压检测器配置为检测所述负升压电路输出端的电压,以基于所述负升压电路输出端的电压产生作用于所述副升压单元的电压检测信号,并且在所述负升压电路输出端的电压的绝对值低于所述电压检测器的设定阈值的绝对值时,所述电压检测信号使所述副升压单元产生所述附加偏压信号;
其中,所述副升压单元的数量大于等于2,且每个所述副升压单元均对应设置有所述电压检测器。
2.根据权利要求1所述的负升压电路,其特征在于,每个所述电压检测器具有不同的所述设定阈值。
3.根据权利要求1所述的负升压电路,其特征在于,在所述负升压电路输出端的电压的绝对值高于所述电压检测器的设定阈值的绝对值时,所述电压检测信号使所述副升压单元不产生所述附加偏压信号。
4.根据权利要求1-3中的任意一项所述的负升压电路,其特征在于,所述副升压单元包括:
第一副升压单元,所述第一副升压单元配置为与所述主升压单元并联连接,用于产生第一附加偏压信号,以与所述基本偏压信号共同形成所述负偏压;
第二副升压单元,所述第二副升压单元配置为与所述主升压单元并联连接,用于产生第二附加偏压信号,以与所述基本偏压信号共同形成所述负偏压;
第三副升压单元,所述第三副升压单元配置为与所述主升压单元并联连接,用于产生第三附加偏压信号,以与所述基本偏压信号共同形成所述负偏压。
5.根据权利要求4所述的负升压电路,其特征在于,所述电压检测器包括:
第一电压检测器,所述第一电压检测器配置为基于所述负升压电路输出端的电压产生作用于所述第一副升压单元的第一电压检测信号,并且在所述负升压电路输出端的电压的绝对值低于所述第一电压检测器的第一设定阈值的绝对值时,所述第一电压检测信号使所述第一副升压单元产生所述第一附加偏压信号;
第二电压检测器,所述第二电压检测器配置为基于所述负升压电路输出端的电压产生作用于所述第二副升压单元的第二电压检测信号,并且在所述负升压电路输出端的电压的绝对值低于所述第二电压检测器的第二设定阈值的绝对值时,所述第二电压检测信号使所述第二副升压单元产生所述第二附加偏压信号;
第三电压检测器,所述第三电压检测器配置为基于所述负升压电路输出端的电压产生作用于所述第三副升压单元的第三电压检测信号,并且在所述负升压电路输出端的电压的绝对值低于所述第三电压检测器的第三设定阈值的绝对值时,所述第三电压检测信号使所述第三副升压单元产生所述第三附加偏压信号。
6.根据权利要求5所述的负升压电路,其特征在于,所述第一设定阈值的绝对值小于所述第二设定阈值的绝对值,所述第二设定阈值的绝对值小于所述第三设定阈值的绝对值。
7.根据权利要求1所述的负升压电路,其特征在于,所述主升压单元和所述副升压单元均包括升压电容,并且所述主升压单元的升压电容的电容值大于所述副升压单元的升压电容的电容值。
8.根据权利要求1所述的负升压电路,其特征在于,还包括:
时序信号产生电路,用于产生作用于所述电压检测器的时序信号,以使各个所述电压检测器依序进行电压检测。
9.一种半导体器件,其特征在于,包括如权利要求1-8中的任意一项所述的负升压电路以及与所述负升压电路连接的存储单元。
10.一种电子装置,其特征在于,包括如权利要求9所述的半导体器件以及与所述半导体器件相连接的电子组件。
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