[发明专利]一种多光谱成像的图像传感器在审
| 申请号： | 201710590826.1 | 申请日： | 2017-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN107331677A | 公开（公告）日： | 2017-11-07 |
| 发明（设计）人： | 程杰;芦嘉鹏;赵建波 | 申请（专利权）人： | 北京思比科微电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L27/148 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司11260 | 代理人： | 郑立明,赵镇勇 |
| 地址： | 100085 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种多光谱成像的图像传感器，在传统图像传感器的芯片表面，通过镀膜的方式，在不同的位置添加不同特性的光学薄膜；不同特性的光学滤光膜包括特定波长的滤光膜或特定波长的通光膜；传统图像传感器包括电荷耦合元件和互补金属氧化物半导体图像传感器。应用多光谱成像技术，通过对不同物体选择合适的波长的光线，就可以获取特定的详细资料，解决了手机等便携式设备既需要可见光图像又需要红外图像的问题，简化了手机等便携式设备的设计，并且降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光谱 成像 图像传感器 | ||
【主权项】：
一种多光谱成像的图像传感器，其特征在于，在传统图像传感器的芯片表面，通过镀膜的方式，在不同的位置添加不同特性的光学薄膜；所述不同特性的光学滤光膜包括特定波长的滤光膜或特定波长的通光膜；所述传统图像传感器包括电荷耦合元件和互补金属氧化物半导体图像传感器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京思比科微电子技术股份有限公司，未经北京思比科微电子技术股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710590826.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
