[发明专利]一种多光谱成像的图像传感器在审
申请号: | 201710590826.1 | 申请日: | 2017-07-19 |
公开(公告)号: | CN107331677A | 公开(公告)日: | 2017-11-07 |
发明(设计)人: | 程杰;芦嘉鹏;赵建波 | 申请(专利权)人: | 北京思比科微电子技术股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/148 |
代理公司: | 北京凯特来知识产权代理有限公司11260 | 代理人: | 郑立明,赵镇勇 |
地址: | 100085 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光谱 成像 图像传感器 | ||
技术领域
本发明涉及一种图像传感器技术,尤其涉及一种多光谱成像的图像传感器。
背景技术
随着半导体芯片技术与数字图像处理技术的不断发展,以及手机等便携式设备的个人加密的应用,例如指纹识别、虹膜识别等生物特征实现手机解锁、银行支付,尤其是虹膜识别的应用,目前的解决方法是除了原有的可见光拍照摄像头外,需要额外增加单独的红外摄像头进行虹膜识别,需要在手机等便携式设备电路板上预留红外摄像头位置,并且在手机等便携式设备面板上开孔,增加了成本。所以简化设计,降低成本显得尤为重要。
发明内容
本发明的目的是提供一种多光谱成像的图像传感器。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的:
本发明的多光谱成像的图像传感器,在传统图像传感器的芯片表面,通过镀膜的方式,在不同的位置添加不同特性的光学薄膜;
所述不同特性的光学滤光膜包括特定波长的滤光膜或特定波长的通光膜;
所述传统图像传感器包括电荷耦合元件和互补金属氧化物半导体图像传感器。
由上述本发明提供的技术方案可以看出,本发明实施例提供的多光谱成像的图像传感器,应用多光谱成像技术,通过对不同物体选择合适的波长的光线,就可以获取特定的详细资料,解决了手机等便携式设备既需要可见光图像又需要红外图像的问题,简化了手机等便携式设备的设计,并且降低了成本。
附图说明
图1为本发明实施例提供的多光谱成像的图像传感器的简化结构示意图。
图2a、图2b、图2c分别为本发明实施例中在图像传感器表面不同位置添加光学薄膜的示意图。
具体实施方式
下面结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明的保护范围。
本发明的多光谱成像的图像传感器,其较佳的具体实施方式是:
在传统图像传感器的芯片表面,通过镀膜的方式,在不同的位置添加不同特性的光学薄膜;
所述不同特性的光学滤光膜包括特定波长的滤光膜或特定波长的通光膜;
所述传统图像传感器包括电荷耦合元件和互补金属氧化物半导体图像传感器。
所述不同特性的光学薄膜包括特定波长的滤光膜和/或特定波长的通光膜,包括:
可见光滤光膜和可见光通光膜;
红外滤光膜和红外通光膜;
紫外滤光膜和紫外通光膜。
所述在传统图像传感器的芯片表面添加不同特性的光学薄膜,包括以下任一种方式:
在图像传感器镀上红外通光膜和红外滤光膜两层光学薄膜;
在图像传感器镀中部区域上红外滤光膜,其它区域镀上红外通光膜;
在图像传感器多个区域镀上一层或多层不同的光学薄膜,包括红外滤光膜、红外通光膜和紫外通光膜。
本发明应用多光谱成像技术,通过对不同物体选择合适的波长的光线,就可以获取特定的详细资料,解决了手机等便携式设备既需要可见光图像又需要红外图像的问题,简化了手机等便携式设备的设计,并且降低了成本。
具体实施例:
如图1所示,本发明的图像传感器包括以下内容:
在传统的图像传感器芯片表面,通过镀膜的方式,添加光学薄膜。
具体的,本发明的实施方式是在传统的图像传感器10上增加了光学薄膜101,其中102为微镜头;103a、103b、103c分别代表传感器表面红色滤光片、绿色滤光片、蓝色滤光片;104为光电二极管;105为硅衬底材料。
如图2a、图2b、图2c所示,本发明实施例的通过镀膜的方式,在不同的位置添加不同特性的光学薄膜,包括以下内容:
(1)如图2a所示,可以在图像传感器201a高度为h1的部分镀上光学薄膜,例如红外通光膜(IR Pass Filter),在高度为h2的部分镀上光学薄膜,例如红外滤光膜(IR Cut Filter);
(2)如图2b所示,可以在图像传感器201b中心部分m×n的区域镀上光学薄膜,例如红外滤光膜(IR Cut Filter),其它区域镀上光学薄膜,例如红外通光膜(IR Pass Filter);
(3)如图2c所示,可以在图像传感器201c多个区域镀上不同的光学薄膜,例如红外滤光膜(IR Cut Filter),红外通光膜(IR Pass Filter)和紫外通光膜(UV Pass Filter)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京思比科微电子技术股份有限公司,未经北京思比科微电子技术股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710590826.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的