[发明专利]欧姆接触结构制备工艺及结构有效
| 申请号： | 201710583815.0 | 申请日： | 2017-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN107623029B | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 张艺蒙;李彦良;张玉明;宋庆文;汤晓燕 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L29/40;H01L29/45 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种欧姆接触结构制备工艺，包括：(a)制备SiC衬底层和SiC外延层；(b)在所述SiC外延层上淀积多层金属形成金属层，所述多层材料依次包括第一Ni层、Ti层、Al层、第二Ni层、TaSi |
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| 搜索关键词： | 欧姆 接触 结构 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种欧姆接触结构制备工艺，其特征在于，包括：(a)制备SiC衬底层和SiC外延层；(b)在所述SiC外延层上淀积多层金属形成金属层，所述多层材料依次包括第一Ni层、Ti层、Al层、第二Ni层、TaSi2层和Pt层；(c)将所述金属层进行退火处理以完成所述欧姆接触结构的制备。
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