[发明专利]欧姆接触结构制备工艺及结构

权利要求书

1.一种欧姆接触结构制备工艺，其特征在于，包括：

(a)制备SiC衬底层和SiC外延层；

(b)在所述SiC外延层上淀积多层金属形成金属层，所述多层材料依次包括第一Ni层、Ti层、Al层、第二Ni层、TaSi₂层和Pt层；

(c)将所述金属层进行退火处理以完成所述欧姆接触结构的制备；

所述步骤(a)包括：

(a1)对所述SiC外延层进行标准RCA清洗；

(a2)利用PECVD工艺，在所述SiC外延层上形成SiO₂掩膜层；

(a3)刻蚀所述SiO₂掩膜层，对所述SiC外延层进行P⁺离子注入，形成高掺杂的P区，刻蚀掉剩余SiO₂掩膜层，并进行高温退火处理；

所述SiC衬底层和所述SiC外延层材料均为4H-SiC；

所述步骤(b)包括：

(b1)采用直流磁控溅射工艺，在所述SiC外延层上淀积所述第一Ni层；

(b2)采用直流磁控溅射工艺，在所述第一Ni层上淀积所述Ti层；

(b3)采用直流磁控溅射工艺，在所述Ti层上淀积所述Al层；

(b4)采用直流磁控溅射工艺，在所述Al层上淀积所述第二Ni层；

(b5)采用射频磁控溅射，在所述第二Ni层上淀积所述TaSi₂层；

(b6)采用直流磁控溅射工艺，在所述TaSi₂层上淀积所述Pt层。

2.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，所述第一Ni层、所述Ti层、所述Al层、所述第二Ni层、所述TaSi₂层和所述Pt层的厚度依次为

3.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，所述第一Ni层、所述Ti层、所述Al层、所述第二Ni层、所述TaSi₂层和所述Pt层的淀积气流量依次为24Ar/sccm、16Ar/sccm、16Ar/sccm、24Ar/sccm、20Ar/sccm、16Ar/sccm。

4.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，所述Al层、所述Pt层、所述Ti层、所述第一Ni层、所述第二Ni层的淀积功率为100W，所述TaSi₂层的淀积功率为60W。

5.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，所述Ti层、所述Pt层、所述TaSi₂层的淀积速率为2.9nm/min，所述第一Ni层、所述第二Ni层的淀积速率为9.8nm/min，所述Al层的淀积速率为10nm/min。

6.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，在所述SiC衬底层上依次淀积第一Ni层、Ti层、Al层、第二Ni层、TaSi₂层和Pt层的淀积腔内真空度均小于等于5e^-6mTorr。

7.一种欧姆接触结构，其特征在于，从下至上依次包括：SiC衬底层、SiC外延层，第一Ni层、Ti层、Al层、第二Ni层、TaSi₂层和Pt层，所述欧姆接触结构按照如权利要求1～6任一项所述制备工艺所制备。