[发明专利]发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201710582642.0 | 申请日： | 2017-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN107359223B | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 谢创宇;卢怡安;王笃祥;吴超瑜;马志邦 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/22;H01L33/60 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管及其制作方法，其中所述发光二极管的制作方法包括步骤：（1）提供一外延结构，包含第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层，具有相对的第一表面和第二表面，其中第一表面为出光面；（2）在所述外延结构的第二表面上形成一图形化的金属欧姆接触层，裸露出部分所述外延结构的第二表面；（3）在裸露出的外延结构第二表面之上沉积一透光性绝缘层，其在所述金属欧姆接触层的位置形成开口部，裸露出所述金属欧姆接触层的部分表面；（4）在所述透光性绝缘层上形成金属反射层，并向所述开口延伸，与所述金属欧姆接触层接触，从而在所述外延结构的第二表面上形成全方位反射镜。 | ||
| 搜索关键词： | 第二表面 外延结构 金属欧姆接触层 发光二极管 透光性绝缘层 类型半导体 第一表面 制作 全方位反射镜 金属反射层 出光面 开口部 图形化 源层 沉积 开口 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管的制作方法，包括步骤：（1）提供一外延结构，包含第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层，具有相对的第一表面和第二表面，其中第一表面为出光面；（2）在所述外延结构的第二表面上形成一图形化的金属欧姆接触层，裸露出部分所述外延结构的第二表面；（3）在裸露出的外延结构第二表面之上沉积一透光性绝缘层，其在所述金属欧姆接触层的位置形成开口部，裸露出所述金属欧姆接触层的部分表面；（4）在所述透光性绝缘层上形成金属反射层，并向所述开口延伸，与所述金属欧姆接触层接触，从而在所述外延结构的第二表面上形成全方位反射镜。
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