[发明专利]发光二极管及其制作方法

权利要求书

1.一种发光二极管的制作方法，包括步骤：

（1）提供一外延结构，包含第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层，具有相对的第一表面和第二表面，其中第一表面为出光面；

（2）在所述外延结构的第二表面上形成一图形化的金属欧姆接触层，裸露出部分所述外延结构的第二表面；

（3）在裸露出的外延结构第二表面之上沉积一透光性绝缘层，其在所述金属欧姆接触层的位置形成开口部，裸露出所述金属欧姆接触层的部分表面；

（4）在所述透光性绝缘层上形成金属反射层，并向所述开口延伸，与所述金属欧姆接触层接触，从而在所述外延结构的第二表面上形成全方位反射镜。

2.根据权利要求1所述的发光二极管的制作方法，其特征在于：所述金属欧姆接触层与透光性绝缘层之间无间隙连接。

3.根据权利要求1所述的发光二极管的制作方法，其特征在于：所述步骤（3）中所述透光性绝缘层同时覆盖所述金属欧姆接触层的部分表面。

4.根据权利要求3所述的发光二极管的制作方法，其特征在于：所述步骤（3）中形成的开口的尺寸小于其对应的金属欧姆接触层的尺寸。

5.根据权利要求4所述的发光二极管的制作方法，其特征在于：所述开口的尺寸a与所述金属欧姆接触层的尺寸b的关系：a/b≤0.8。

6.发光二极管，包括：

外延结构，包含第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层，具有相对的第一表面和第二表面，其中第一表面为出光面；

图案化的金属欧姆接触层，形成于所述外延结构的第二表面之上，裸露出所述外延结构的部分表面；

透光性绝缘层，形成于裸露着的外延结构的第二表面上，在各个金属欧姆接触层的表面上形成开口结构，裸露出所述金属欧姆接触层单元的部分上表面；

金属反射层，形成于透光性绝缘层的表面上，并填充该开口，与所述金属欧姆接触层的上表面接触。

7.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于：所述金属欧姆接触层与所述透光性绝缘层之间无间隙连接。

8.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于：所述透光性绝缘层同时覆盖所述金属欧姆接触层的部分表面，所述开口的尺寸小于所述金属欧姆接触层的尺寸。

9.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于：所述开口的尺寸a与所述欧姆接触金属层的尺寸b的关系：a/b≤0.8。

10.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于：所述外延结构的第一表面一侧外周缘形成台面，在其上覆盖一绝缘保护层。