[发明专利]介电掺杂且富含锑的GST相变存储器

摘要

提出的相变存储器材料为介电掺杂、富含锑(antimony‑rich)的GST家族材料，其相对于GST‑225具有较多的锑，此材料具有速度、保持、及耐受特性，适于储存级数据储存装置。一种存储装置包含含有多个存储单元的一阵列。各个存储单元包含一第一电极及一第二电极。第二电极耦接至一存储器元件。存储元件包含具有相变存储材料的一基底。相变存储材料包含Ge、Sb及Te的一组合与一介电添加物，其在总量上足以(effective to)提供大于160℃的晶型转变温度。在一些有效范例中可提供大于170℃的晶型转变温度。在其他有效范例中可提供大于190℃的晶型转变温度。一控制器耦接至阵列，且被设置以对阵列中的存储单元执行数个设定操作及数个复位操作。

主权项

1.一种相变材料，包含GexSbyTez，其中x、y、z为原子百分比，该相变材料的一Ge原子浓度x为13％至18％，该相变材料的一Sb原子浓度x为18％至32％，该相变材料的一Te原子浓度z为34％至50％，且该相变材料还包含介电添加物，该介电添加物的一原子浓度为10％至30％。