[发明专利]介电掺杂且富含锑的GST相变存储器

权利要求书

1.一种相变材料，包含GexSbyTez，其中x、y、z为原子百分比，该相变材料的一Ge原子浓度x为13％至18％，该相变材料的一Sb原子浓度x为18％至32％，该相变材料的一Te原子浓度z为34％至50％，且该相变材料还包含介电添加物，其中该介电添加物的一Si原子浓度为11.3％至17％，该介电添加物的一O原子浓度为0％。

2.一种相变存储器装置，包含：

含多个存储单元的一阵列，该阵列的所述存储单元各别包含一第一电极、一第二电极及具有相变存储材料的一基底，该基底位在该第一电极及该第二电极之间，其中具有相变存储材料的该基底包含Ge、Sb及Te的一组合与一介电添加物，其在总量上足以提供大于160℃的一晶型转变温度；以及

一控制器，耦接至该阵列，该控制器被设置以对该阵列的所述存储单元执行多个设定操作及多个复位操作；

其中该介电添加物的一Si原子浓度为11.3％至17％，该介电添加物的一O原子浓度为0％。

3.如权利要求2所述的相变存储器装置，其中所述复位操作包含等于或低于200微安培(μAmp)的一复位电流。

4.如权利要求2所述的相变存储器装置，其中该阵列具有等于或高于107次周期的一耐受度。

5.一种储存级数据储存的装置，包含：

含多个存储单元的一阵列，该阵列的所述存储单元分别包含一第一电极、一第二电极及具相变存储材料的一基底，该基底位在该第一电极及该第二电极之间，其中具有相变存储材料的该基底包含Ge、Sb及Te的一组合与一介电添加物，其在总量上足以提供大于160℃的一晶型转变温度；以及

一控制器，耦接至该阵列，该控制器被设置以对该阵列中的存储单元执行多个设定操作及多个复位操作，其中所述设定操作包含等于或低于500纳秒(ns)的一设定速度，且所述复位操作包含等于或低于200毫安的一复位电流；

Ge、Sb及Te的该组合包含GexSbyTez，其中x、y、z为原子百分比，一Ge原子浓度x为13％至18％，一Sb原子浓度x为18％至32％，一Te原子浓度z为34％至50％；

该介电添加物的一Si原子浓度为11.3％至17％，该介电添加物的一O原子浓度为0％。

6.如权利要求5所述的储存级数据储存的装置，其中该阵列具有等于或高于107次周期的耐受度。