[发明专利]互补场效应晶体管及其制备方法和像素电路

摘要

本发明公开了一种互补场效应晶体管及其制备方法和像素电路，该互补场效应晶体管包括：底栅型的第一晶体管和顶栅型的第二晶体管；在第一晶体管中设置有与第一栅极层叠设置的有第一导电图形；和/或，在第二晶体管中设置有与第二栅极层叠设置的第二导电图形。本发明的技术方案通过在第一晶体管中设置与第一栅极层叠设置的第一导电图形，在第一晶体管中设置与第二栅极层叠设置的第二导电图形，可有效降低第一晶体管和第二晶体管中栅极处的电阻，从而能提升第一晶体管和第二晶体管的性能。

主权项

一种互补场效应晶体管，其特征在于，包括：第一晶体管和第二晶体管；所述第一晶体管包括：位于衬底基板上的第一栅极、位于所述第一栅极背向所述衬底基板的一侧的栅绝缘层、位于所述栅绝缘层背向所述第一栅极的一侧的第一有源层以及与所述第一有源层连接的第一源漏极；所述第二晶体管包括：位于衬底基板上的第二有源层、与所述第二有源层连接的第二源漏极、位于所述第二有源层和所述第二源漏极背向所述衬底基板的一侧的栅绝缘层、位于所述栅绝缘层背向所述第二有源层的一侧的第二栅极；还包括：与所述第一栅极层叠设置的第一导电图形，和/或，与所述第二栅极层叠设置的第二导电图形。