[发明专利]互补场效应晶体管及其制备方法和像素电路

权利要求书

1.一种互补场效应晶体管，其特征在于，包括：第一晶体管和第二晶体管；

所述第一晶体管包括：位于衬底基板上的第一栅极、位于所述第一栅极背向所述衬底基板的一侧的栅绝缘层、位于所述栅绝缘层背向所述第一栅极的一侧的第一有源层以及与所述第一有源层连接的第一源漏极；

所述第二晶体管包括：位于衬底基板上的第二有源层、与所述第二有源层连接的第二源漏极、位于所述第二有源层和所述第二源漏极背向所述衬底基板的一侧的栅绝缘层、位于所述栅绝缘层背向所述第二有源层的一侧的第二栅极；

还包括：与所述第一栅极层叠设置的第一导电图形，和/或，与所述第二栅极层叠设置的第二导电图形；

其中，当所述互补场效应晶体管中存在所述第一导电图形时，所述第一导电图形与所述第二有源层同层设置；

当所述互补场效应晶体管中存在所述第二导电图形时，所述第二导电图形与所述第一有源层同层设置；

其中，所述第一有源层和所述第二有源层的材料均为半导体型碳纳米管；

当所述互补场效应晶体管中存在所述第一导电图形时，所述第一导电图形的材料为半导体型碳纳米管或金属型碳纳米管；

当所述互补场效应晶体管中存在所述第二导电图形时，所述第二导电图形的材料为半导体型碳纳米管或金属型碳纳米管。

2.根据权利要求1所述的互补场效应晶体管，其特征在于，其特征在于，所述第一栅极、所述第一源漏极、所述第二栅极、所述第二源漏极的材料为金属型碳纳米管。

3.一种像素电路，其特征在于，包括：如上述权利要求1或2中所述的互补场效应晶体管；

在所述第一晶体管中，所述第一栅极与对应的栅线连接，所述第一源漏极中的第一源极与对应的数据线连接，所述第一源漏极中的第一漏极与所述第二晶体管的第二栅极连接；

在所述第二晶体管中，所述第二源漏极中的所述第二源极与工作电源端连接，所述第二源漏极中的所述第二漏极与发光器件的阳极连接。

4.一种互补场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

形成第一晶体管和第二晶体管的步骤，其中，所述第一晶体管包括：位于衬底基板上的第一栅极、位于所述第一栅极背向所述衬底基板的一侧的栅绝缘层、位于所述栅绝缘层背向所述第一栅极的一侧的第一有源层以及与所述第一有源层连接的第一源漏极，所述第二晶体管包括：位于衬底基板上的第二有源层、与所述第二有源层连接的第二源漏极、位于所述第二有源层和所述第二源漏极背向所述衬底基板的一侧的栅绝缘层、位于所述栅绝缘层背向所述第二有源层的一侧的第二栅极；

形成与所述第一栅极层叠设置的第一导电图形的步骤；和/或，形成与所述第二栅极层叠设置的第二导电图形的步骤；

其中，当所述互补场效应晶体管中存在所述第一导电图形时，所述第一导电图形与所述第二有源层同层设置；

当所述互补场效应晶体管中存在所述第二导电图形时，所述第二导电图形与所述第一有源层同层设置；

其中，所述第一有源层和所述第二有源层的材料均为半导体型碳纳米管；

当所述互补场效应晶体管中存在所述第一导电图形时，所述第一导电图形的材料为半导体型碳纳米管或金属型碳纳米管；

当所述互补场效应晶体管中存在所述第二导电图形时，所述第二导电图形的材料为半导体型碳纳米管或金属型碳纳米管。

5.根据权利要求4所述的互补场效应晶体管的制备方法，其特征在于，形成第一晶体管和第二晶体管的步骤具体包括：

通过一次构图工艺在衬底基板上形成第一栅极和第二源漏极的步骤；

形成第二有源层的步骤，所述第二有源层与所述第二源漏极连接的；

在第一栅极、第二源漏极和第二有源层背向所述衬底基板的一侧形成栅绝缘层的步骤；

通过一次构图工艺在所述栅绝缘层背向所述衬底基板的一侧形成第二栅极和第一源漏极的步骤；

形成第一有源层的步骤，所述第一有源层与所述第一源漏极连接的。