[发明专利]多晶硅电阻温度系数监控方法在审
| 申请号： | 201710579061.1 | 申请日： | 2017-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN107421652A | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 孔蔚然;李平梁 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G01K7/22 | 分类号： | G01K7/22 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅电阻温度系数监控方法包括如下步骤步骤一、在晶片形成多个待测多晶硅电阻且同时在各待测多晶硅电阻的周侧形成采用电流加热的加热电阻环。步骤二、将晶片放置在WAT测量设备上，对加热电阻环加不同的电压来调节待测多晶硅电阻的温度。步骤三、在WAT测量设备上测试待测多晶硅电阻的电阻值。本发明能在WAT测量中实现对多晶硅电阻温度系数的偏差的在片监控；另外通过测量大量晶片的WAT数据，能实现监控温度系数的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 电阻 温度 系数 监控 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅电阻温度系数监控方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在晶片形成多个待测多晶硅电阻且同时在各所述待测多晶硅电阻的周侧形成围绕所述待测多晶硅电阻的加热电阻环，所述加热电阻环通电流时会使所述待测多晶硅电阻瞬间升温到所需的温度；步骤二、将所述晶片放置在WAT测量设备上，通过对所述加热电阻环加不同的电压来调节所述加热电阻环的导通电流从而调节所述待测多晶硅电阻的温度；步骤三、在所述WAT测量设备上测试各种不同温度下的各所述待测多晶硅电阻的电阻值，实现对所述待测多晶硅电阻的温度系数监控。
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