[发明专利]多晶硅电阻温度系数监控方法

权利要求书

1.一种多晶硅电阻温度系数监控方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、在晶片形成多个待测多晶硅电阻且同时在各所述待测多晶硅电阻的周侧形成围绕所述待测多晶硅电阻的加热电阻环，所述加热电阻环通电流时会使所述待测多晶硅电阻瞬间升温到所需的温度；

步骤二、将所述晶片放置在WAT测量设备上，通过对所述加热电阻环加不同的电压来调节所述加热电阻环的导通电流从而调节所述待测多晶硅电阻的温度；

步骤三、在所述WAT测量设备上测试各种不同温度下的各所述待测多晶硅电阻的电阻值，实现对所述待测多晶硅电阻的温度系数监控。

2.如权利要求1所述的多晶硅电阻温度系数监控方法，其特征在于，还包括：

步骤四、重复步骤二和步骤三实现对多片所述晶片上的各所述待测多晶硅电阻进行测试，并统计出不同温度下的各所述待测多晶硅电阻的阻值变化，实现对所述待测多晶硅电阻的温度系数监控。

3.如权利要求1所述的多晶硅电阻温度系数监控方法，其特征在于：在步骤二之前还包括进行预先测试形成所述待测多晶硅电阻的电阻温度曲线的步骤。

4.如权利要求3所述的多晶硅电阻温度系数监控方法，其特征在于：每个工艺节点的所述待测多晶硅电阻测量一次所述电阻温度曲线。

5.如权利要求4所述的多晶硅电阻温度系数监控方法，其特征在于：所述电阻温度曲线的测试包括步骤：

将所述晶片放置在具有升温控制的探针台上；

通过所述探针台对所述晶片进行升温并升温到所需的温度；

对升温后的所述待测多晶硅电阻进行电阻值的测量；

通过在一系列的温度下测量所述待测多晶硅电阻的电阻值得到所述电阻温度曲线。

6.如权利要求3或4或5所述的多晶硅电阻温度系数监控方法，其特征在于：根据所述电阻温度曲线，根据步骤三中测量得到的所述待测多晶硅电阻的电阻值反推出测试时对应的温度。

7.如权利要求3或4或5所述的多晶硅电阻温度系数监控方法，其特征在于：在步骤二之前还包括进行测试形成所述加热电阻环的加热条件曲线，所述加热条件曲线通过如下步骤得到：

测试一系列所述加热电阻环的所加电压值对应的所述待测多晶硅电阻的电阻值；

根据所测得的所述待测多晶硅电阻的电阻值并结合所述电阻温度曲线得到所述加热电阻环的各所加电压值对应的温度；

所述加热电阻环的各所加电压值和对应的温度形成所述加热电阻环的加热条件曲线。

8.如权利要求7所述的多晶硅电阻温度系数监控方法，其特征在于：步骤二中根据所需要的温度并结合所述加热条件曲线得到测试时需要在所述加热电阻环上所加的电压。

9.如权利要求1所述的多晶硅电阻温度系数监控方法，其特征在于：所述待测多晶硅电阻包括P型多晶硅电阻和N型多晶硅电阻；

所述加热电阻环的组成材料为多晶硅。

10.如权利要求1所述的多晶硅电阻温度系数监控方法，其特征在于：所述待测多晶硅电阻呈条状结构。

11.如权利要求10所述的多晶硅电阻温度系数监控方法，其特征在于：在所述待测多晶硅电阻的两侧分别形成有接触孔并通过接触孔引出两个电极。

12.如权利要求10所述的多晶硅电阻温度系数监控方法，其特征在于：所述加热电阻环呈一围绕所述待测多晶硅电阻的条状结构的矩形环，所述矩形环的两条长边和所述条状结构的长度方向平行，所述矩形环的两条短边和所述条状结构的长度方向垂直。

13.如权利要求12所述的多晶硅电阻温度系数监控方法，其特征在于：在所述矩形环的两条短边上的中间位置上形成有接触孔并通过接触孔引出两个电极。

14.如权利要求13所述的多晶硅电阻温度系数监控方法，其特征在于：所述加热电阻环中和每个电极对应的接触孔包括多个且呈阵列排列。