[发明专利]一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备方法

摘要

本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工艺，光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼薄膜以及衬底；电极结构为电极、主支、分支三部分，相邻主支之间和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小，起到并联二硫化钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉积(CVD)的方法，硅片作为衬底，MoO₃粉末作为钼源，硫粉作为硫源，通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度，制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼薄膜，对设备要求低，实验过程简单方便、重复性高。

主权项

1.一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器，其特征在于，包括：依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼薄膜以及衬底；所述多个层状二硫化钼薄膜平铺于所述衬底之上；所述电极结构包括两个主电极、多个主支以及多个分支，每个所述主电极上连有多个所述主支，每个所述主支上连有多个所述分支，一个主电极(11)、与所述主电极相连的多个主支以及连接至所述与主电极相连的多个主支的分支(3)构成光探测器的第一极；另一个主电极(12)、与所述另一个主电极相连的多个主支以及连接至所述与另一个主电极相连的多个主支的分支(3)构成光探测器的第二极；光探测器的第一极和第二极用于并联分离的多个层状二硫化钼薄膜，提高接入探测器电路的二硫化钼薄膜数量，增大探测器的光敏面积。