[发明专利]一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备方法

权利要求书

1.一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器，其特征在于，包括：

依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼薄膜以及衬底；所述多个层状二硫化钼薄膜平铺于所述衬底之上；

所述电极结构包括两个主电极、多个主支以及多个分支，每个所述主电极上连有多个所述主支，每个所述主支上连有多个所述分支，一个主电极(11)、与所述主电极相连的多个主支以及连接至所述与主电极相连的多个主支的分支(3)构成光探测器的第一极；另一个主电极(12)、与所述另一个主电极相连的多个主支以及连接至所述与另一个主电极相连的多个主支的分支(3)构成光探测器的第二极；

光探测器的第一极和第二极用于并联分离的多个层状二硫化钼薄膜，提高接入探测器电路的二硫化钼薄膜数量，增大探测器的光敏面积。

2.如权利要求1所述的光探测器，其特征在于，两两所述主支之间平行排列，两两所述分支之间平行排列，两个所述主电极平行排列，且每个所述分支与所述主电极平行。

3.如权利要求1所述的光探测器，其特征在于，两个所述主电极之间的间距为多个层状二硫化钼薄膜所覆盖区域的宽度，两个所述主电极长度为多个层状二硫化钼薄膜所覆盖区域的长度，两个相邻所述主支之间的间距和两个相邻所述分支之间的间距均为二硫化钼薄膜的平均边长。

4.如权利要求1至3任一项所述的光探测器，其特征在于，所述电极结构为两层金属结构，且与所述二硫化钼薄膜接触的金属为铬Cr、钛Ti、钯Pd以及钪Sc。

5.一种如权利要求1所述的光探测器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

对氧化钼粉末和硫粉采用化学气相沉积法在衬底上制备多个层状二硫化钼薄膜获得第一中间产物；

采用剥离工艺在第一中间产物上附着电极结构，获得二维层状二硫化钼薄膜光探测器；

所述电极结构包括两个主电极、多个主支以及多个分支，每个所述主电极上连有多个所述主支，每个所述主支上连有多个所述分支。

6.如权利要求5所述的光探测器的制备方法，其特征在于，采用化学气相沉积法在衬底上制备多个层状二硫化钼薄膜包括如下步骤：

将所述氧化钼粉末置于加热区，并让所述加热区温度在40min～50min由室温上升至820℃～840℃，待所述加热区温度上升至780℃～820℃时，将所述硫粉置于所述加热区，使所述硫粉和所述氧化钼粉末同时气化；

让气化后所述氧化钼粉末和气化后所述硫粉在820℃～840℃发生反应生成固态二硫化钼，并让固态二硫化钼沉积于衬底上，获得第二中间产物。

7.如权利要求5或6所述的光探测器的制备方法，其特征在于，采用剥离工艺在第一中间产物上附着电极结构包括如下步骤：

在第一中间产物上旋涂光刻胶并加热获得第二中间产物；

对第二中间产物进行曝光处理，获得第三中间产物；其中，曝光处理掩膜板为电极结构图形；

在第三中间产物上附着金属层获得第四中间产物；

对第四中间产物进行去光刻胶处理，获得二维层状二硫化钼薄膜光探测器。