[发明专利]通过插入界面原子单层改进与IV族半导体的金属接触有效
| 申请号： | 201710569473.7 | 申请日： | 2012-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN107578994B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 沃尔特·A·哈里森;保罗·A·克利夫顿;安德烈亚斯·戈贝尔;R·斯托克顿·盖恩斯 | 申请（专利权）人： | 阿科恩科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283;H01L21/285;H01L21/324;H01L29/04;H01L29/161;H01L29/45;H01L29/47 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;吴启超 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开案提供通过在金属与半导体之间的界面插入V族或III族原子单层，或插入各自由单层形成的双层，或插入多个所述双层，减少金属‑半导体(IV族)结的比接触电阻的技术。所得的低比电阻金属‑IV族半导体结应用为半导体设备中的低电阻电极，所述半导体设备包括电子设备(例如晶体管、二极管等)和光电设备(例如激光器、太阳能电池、光电探测器等)，及/或应用为场效应晶体管(FET)中的金属源区及/或金属漏区(或者所述金属源区及/或金属漏区的一部分)。III族原子单层和V族原子单层主要为有序的原子层，所述原子层形成于IV族半导体的表面并与IV族半导体的表面原子化学结合。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 插入 界面 原子 单层 改进 iv 半导体 金属 接触 | ||
【主权项】：
一种电接触，所述电接触包含金属和IV族半导体，所述金属和所述IV族半导体由所述金属与所述IV族半导体之间的界面处的III族原子单层分隔，所述III族原子单层的原子与所述IV族半导体的晶格结构成外延对齐，其中所述IV族半导体包含以下中的任一者：碳、锗、硅、硅与锗的合金、锗与锡的合金、硅与碳的合金、硅与碳的化合物、锗与碳的化合物、锗与碳的合金、或硅锗碳。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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