[发明专利]荧光共振能量转移光阳极及其制备方法有效
| 申请号： | 201710569389.5 | 申请日： | 2017-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN107359050B | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | 梁桂杰;李望南;陈美华;汪竞阳;钟志成;程晓红;王松 | 申请（专利权）人： | 湖北文理学院 |
| 主分类号： | H01G9/20 | 分类号： | H01G9/20 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 王闯 |
| 地址： | 441000 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种荧光共振能量转移光阳极及其制备方法，属于光阳极技术领域。光阳极含导电基片、吸附于该基片的n型半导体膜及吸附于该半导体膜的光电传输层，光电传输层含连接于该半导体膜的方酸染料、连接于方酸染料的卤代硫醇及连接于卤代硫醇的Ⅰ型核壳结构量子点，该量子点的壳层导带位置高于方酸染料的LUMO能级。光谱响应范围宽、吸光效率高、荧光共振能量转移效率及光电转化效率高。方法包括将沉积于导电基片的n型半导体膜于方酸染料醇溶液中敏化、于卤代硫代乙酸酯的甲苯溶液中回流卤代后水解，得连接有功能桥链分子的半导体光阳极；将含ZnS壳层的Ⅰ型核壳结构量子点分散于甲苯浸泡该半导体光阳极2～12h。操作简单、可控性好、成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 方酸染料 光阳极 卤代 量子点 荧光共振能量转移 半导体光阳极 半导体膜 导电基片 光电传输 核壳结构 壳层 硫醇 吸附 制备 荧光共振能量转移效率 光电转化效率 硫代乙酸酯 导带位置 光谱响应 甲苯溶液 吸光效率 醇溶液 可控性 甲苯 敏化 桥链 水解 沉积 浸泡 | ||
【主权项】：
1.一种荧光共振能量转移光阳极，其特征在于，包括导电基片、吸附于所述导电基片的n型半导体膜以及吸附于所述n型半导体膜的光电传输层，所述光电传输层包括连接于所述n型半导体膜的方酸染料、连接于所述方酸染料的卤代硫醇及连接于所述卤代硫醇的Ⅰ型核壳结构量子点，所述Ⅰ型核壳结构量子点的壳层导带位置高于所述方酸染料的LUMO能级。
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