[发明专利]荧光共振能量转移光阳极及其制备方法

权利要求书

1.一种荧光共振能量转移光阳极，其特征在于，包括导电基片、吸附于所述导电基片的n型半导体膜以及吸附于所述n型半导体膜的光电传输层，所述光电传输层包括连接于所述n型半导体膜的方酸染料、连接于所述方酸染料的卤代硫醇及连接于所述卤代硫醇的Ⅰ型核壳结构量子点，所述Ⅰ型核壳结构量子点的壳层导带位置高于所述方酸染料的LUMO能级。

2.根据权利要求1所述的光阳极，其特征在于，所述方酸染料选自中的一种，所述Ⅰ型核壳结构量子点选自CuInS₂@ZnS、CdS@ZnS或CdSe@ZnS中的一种。

3.根据权利要求1所述的光阳极，其特征在于，所述卤代硫醇选自2-碘基乙基硫醇、3-碘基丙基硫醇或5-碘基戊基硫醇中的一种。

4.一种荧光共振能量转移光阳极的制备方法，其特征在于，包括：将沉积于导电基片的n型半导体膜于方酸染料的醇溶液中敏化，于卤代硫代乙酸酯的甲苯溶液中回流卤代后水解，得连接有功能桥链分子的半导体光阳极；将含ZnS壳层的Ⅰ型核壳结构量子点分散于甲苯浸泡所述连接有功能桥链分子的半导体光阳极2～12h。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述含ZnS壳层的Ⅰ型核壳结构量子点按照以下操作制得：将量子点核层前驱体溶液于210～350℃条件下加热0.25～12h；保持液体温度为210～250℃条件下加入量子点壳层前驱体溶液反应0.3～2h。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述量子点壳层前驱体溶液以0.1～0.3mL/min的速度加入所述量子点核层前驱体溶液中。

7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所量子点壳层前驱体溶液为含油酸锌、硫单质及三辛基膦的1-十八烯溶液。

8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述量子点核层前驱体溶液选自CuInS₂@ZnS、CdS@ZnS或CdSe@ZnS中的一种的核层前驱体溶液。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述量子点核层前驱体溶液为含乙酸铟及碘化亚铜的1-十二硫醇溶液。

10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述量子点核层前驱体溶液为含乙酸镉、十八烷基胺、硒粉及三丁基膦的1-十八烯溶液。

11.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述量子点核层前驱体溶液为含乙酸镉及硫单质的1-十八烯溶液。

12.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述方酸染料选自中的一种。

13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述方酸染料的醇溶液中所述方酸染料的浓度为3×10^-4～1×10^-3mol/L。

14.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述卤代硫代乙酸酯选自含2-碘基硫代乙酸乙酯、3-碘基硫代乙酸丙酯或5-碘基硫代乙酸戊酯中的一种。

15.根据权利要求14所述的制备方法，其特征在于，所述卤代硫代乙酸酯的甲苯溶液中所述卤代硫代乙酸酯的浓度为0.02～1mol/L。

16.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述回流的回流时间为8～16h,回流温度为20～60℃。

17.根据权利要求16所述的制备方法，其特征在于，所述回流于惰性气体保护下进行。

18.根据权利要求17所述的制备方法，其特征在于，所述惰性气体为氮气或氩气。