[发明专利]一种CdTe薄膜的热处理方法

摘要

本发明公开了一种CdTe薄膜的热处理方法。该热处理方法是将CdTe薄膜置于含磷环境中进行热处理；所述的CdTe薄膜包括CdTe单层薄膜和含CdTe的叠层薄膜；所述的含磷环境为在CdTe薄膜热处理过程中保持含磷材料的存在，可以将含磷材料存在于环境气氛中，也可以将含磷材料直接沉积在CdTe薄膜表面；所述的热处理的温度为300℃～450℃，热处理的时间为5～10分钟。利用本发明的热处理方法能显著改善CdTe薄膜的电学性能；将经过热处理的CdTe薄膜应用于CdTe薄膜太阳电池，能显著提高CdTe薄膜太阳电池的光电性能。

主权项

1.一种CdTe薄膜的热处理方法，其特征在于：将CdTe薄膜置于含磷环境中进行热处理；所述的含磷环境为在CdTe薄膜热处理过程中保持含磷材料的存在；所述的含磷材料通过如下任一种方式提供：(1)在CdTe薄膜表面沉积含磷薄层；(2)将CdTe薄膜置于含磷气氛中；(3)在CdTe薄膜表面沉积含磷薄层，同时置于含磷气氛中；所述的含磷材料为Cd₃P₂；所述的表面沉积含磷薄层为采用真空热蒸发的方法进行表面沉积含磷薄层；所述的真空热蒸发的压强为低于5×10^‑4Pa；所述的热处理为在真空、惰性气体、或含氧气氛的环境中进行热处理；所述的真空环境中的压强为0.1～1Pa；所述的热处理的温度为380℃～400℃；所述的热处理的时间为5～10分钟。