[发明专利]一种CdTe薄膜的热处理方法有效
| 申请号： | 201710568784.1 | 申请日： | 2017-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN107452835B | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 沈凯;麦耀华 | 申请（专利权）人： | 暨南大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/477 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 苏运贞;刘瑜 |
| 地址： | 510632 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 cdte 薄膜 热处理 方法 | ||
1.一种CdTe薄膜的热处理方法，其特征在于：将CdTe薄膜置于含磷环境中进行热处理；
所述的含磷环境为在CdTe薄膜热处理过程中保持含磷材料的存在；所述的含磷材料通过如下任一种方式提供：(1)在CdTe薄膜表面沉积含磷薄层；(2)将CdTe薄膜置于含磷气氛中；(3)在CdTe薄膜表面沉积含磷薄层，同时置于含磷气氛中；
所述的含磷材料为Cd3P2；
所述的表面沉积含磷薄层为采用真空热蒸发的方法进行表面沉积含磷薄层；
所述的真空热蒸发的压强为低于5×10-4Pa；
所述的热处理为在真空、惰性气体、或含氧气氛的环境中进行热处理；
所述的真空环境中的压强为0.1～1Pa；
所述的热处理的温度为380℃～400℃；
所述的热处理的时间为5～10分钟。
2.根据权利要求1所述的CdTe薄膜的热处理方法，其特征在于：
所述的含氧气氛为惰性气体和氧气的混合气氛。
3.根据权利要求1所述的CdTe薄膜的热处理方法，其特征在于：所述的含磷薄层的厚度为2～200nm。
4.根据权利要求1所述的CdTe薄膜的热处理方法，其特征在于：所述的热处理为在管式炉中进行热处理。
5.根据权利要求1所述的CdTe薄膜的热处理方法，其特征在于：所述的CdTe薄膜为CdTe单层薄膜或含CdTe的叠层薄膜。
6.根据权利要求1所述的CdTe薄膜的热处理方法，其特征在于：所述的惰性气体为氮气。
7.根据权利要求1所述的CdTe薄膜的热处理方法，其特征在于还包括将热处理后的CdTe薄膜进行清洗、吹干。
8.根据权利要求7所述的CdTe薄膜的热处理方法，其特征在于：所述的清洗为采用物理剥离、对含磷材料的化学溶解或去离子水冲洗的方式进行清洗。
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