[发明专利]一种基于改进的带隙基准结构的上电复位电路有效
| 申请号： | 201710567419.9 | 申请日： | 2017-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN107342757B | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 钱翼飞;张宁;王志利;叶立 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/22 | 分类号： | H03K17/22 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于改进的带隙基准结构的上电复位电路，包括：上电检测电路，用于在上电时产生差异化的输出电压第一分压RX和第二分压LX；比较电路，用于将该上电检测电路的输出整形以得到数字电路所需复位信号RESET；变电阻电路，用于在该比较电路输出的复位信号RESET的控制下将电阻接入电路或短路，通过本发明，可实现一个阈值电压在不同温度和工艺偏差下都相对稳定的低功耗上电复位电路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 改进 基准 结构 复位 电路 | ||
【主权项】：
一种基于改进的带隙基准结构的上电复位电路，包括：上电检测电路，用于在上电时产生差异化的输出电压第一分压RX和第二分压LX；比较电路，用于将该上电检测电路的输出整形以得到数字电路所需复位信号RESET；变电阻电路，用于在该比较电路输出的复位信号RESET的控制下将电阻接入电路或短路。
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