[发明专利]一种基于改进的带隙基准结构的上电复位电路

说明书

本发明公开了一种基于改进的带隙基准结构的上电复位电路，包括：上电检测电路，用于在上电时产生差异化的输出电压第一分压RX和第二分压LX；比较电路，用于将该上电检测电路的输出整形以得到数字电路所需复位信号RESET；变电阻电路，用于在该比较电路输出的复位信号RESET的控制下将电阻接入电路或短路，通过本发明，可实现一个阈值电压在不同温度和工艺偏差下都相对稳定的低功耗上电复位电路。

技术领域

本发明涉及一种上电复位电路，特别是涉及一种基于改进的带隙基准结构的上电复位电路。

背景技术

图1为现有技术中一个结构简单且最常见的上电复位电路，如图1所示，该上电复位电路包括电阻R、电容C、放电二极管D、比较器CMP和反相器INV，该电路利用电容上的电压不能突变的原理，在电源VDD开通时，通过RC充电来产生一逐渐上升的模拟信号，在模拟信号电压较低时比较器CMP输出一稳定高电平或低电平，当模拟信号电压超过比较器CMP的参考电压时比较器输出一跳变信号，经反相器INV整形后输出复位信号POR，其中二极管的作用是在电源断电瞬间将电容上积累的电荷迅速放掉，以便下一次上电时能产生有效的复位信号。

然而，采用这种传统的复位电路，其阈值电压受温度和工艺影响较大，且没有低压保护功能，精确性较差。

发明内容

为克服上述现有技术存在的不足，本发明之目的在于提供一种基于改进的带隙基准结构的上电复位电路，以实现一个阈值电压在不同温度和工艺偏差下都相对稳定的低功耗上电复位电路。

为达上述及其它目的，本发明提出一种基于改进的带隙基准结构的上电复位电路，包括：

上电检测电路，用于在上电时产生差异化的输出电压第一分压RX和第二分压LX；

比较电路，用于将该上电检测电路的输出整形以得到数字电路所需复位信号RESET；

变电阻电路，用于在该比较电路输出的复位信号RESET的控制下将电阻接入电路或短路。

进一步地，该上电检测电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、一电容、第一NMOS管、第二NMOS管，该第一电阻、第二电阻一端接电源电压，第一电阻的另一端与比较电路的一输入端、第一NMOS的栅极和漏极相连组成第一分压节点RX，该第二电阻的另一端与该比较电路的另一输入端、该第三电阻、该电容相连组成第二分压节点LX，该第三电阻的另一端连接该第二NMOS管的栅极和漏极，该第一NMOS管源极、第二NMOS管源极以及该电容的另一端接地。

进一步地，该比较电路采用比较器，该第一分压RX接该比较器的同相输入端，该第二分压LX接该比较器的反相输入端。

进一步地，该比较器的输出连接若干反相器以将输出整形以得到数字电路所需复位信号RESET。

进一步地，该变电阻电路包括第四电阻、第五电阻以及第三NMOS管，该第四电阻的一端连接第二分压节点LX，另一端与该第五电阻的一端和该第三NMOS管的漏极相连，该第三NMOS管栅极连接该比较电路的输出端，源极接地。

进一步地，该第二NMOS管材用m个第一NMOS管尺寸的NMOS管并联。

进一步地，m为大于等于2的正整数。

进一步地，该第一NMOS管、第二NMOS管材用双极型晶体管替代，其比例关系不变。