[发明专利]一种低压工艺中的高压NMOS晶体管在审
| 申请号： | 201710567225.9 | 申请日： | 2017-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN107146817A | 公开（公告）日： | 2017-09-08 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长沙方星腾电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410205 湖南省长沙市长沙高新开*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种低压工艺中的高压NMOS晶体管，属于半导体集成电路技术领域。该晶体管包括P型衬底PSUB、N型阱NWELL、第一N型掺杂N+1、第二N型掺杂N+2和多晶硅POLY；本发明在传统的低压NMOS晶体管的基础上，在第二N型掺杂N+2的外围增加了N型阱NWELL，使得第二N型掺杂N+2不直接与P型衬底PSUB接触。由于二极管的掺杂特性，第二N型掺杂N+2与P型衬底PSUB形成的寄生PN结二极管的反向击穿电压远低于N型阱NWELL与P型衬底PSUB形成的寄生PN结二极管的反向击穿电压，这样就使得器件的漏极D比低压器件的漏极能够承受更高的电压，符合很多高压场合的应用要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低压 工艺 中的 高压 nmos 晶体管 | ||
【主权项】：
一种低压工艺中的高压NMOS晶体管，其特征在于，包括：P型衬底PSUB、N型阱NWELL、第一N型掺杂N+1、第二N型掺杂N+2和多晶硅POLY；P型衬底PSUB位于最下方；N型阱NWELL、第一N型掺杂N+1和第二N型掺杂N+2都做在P型衬底PSUB上；第一N型掺杂N+1位于P型衬底PSUB的左上方；第二N型掺杂N+2位于P型衬底PSUB的右上方，与第一N型掺杂N+1左右对称；N型阱NWELL将第二N型掺杂N+2包围，使其不与P型衬底PSUB直接接触；在第一N型掺杂N+1和第二N型掺杂N+2的间隙的正上方，是层多晶硅POLY，它是器件的栅极G；第一N型掺杂N+1是器件的源极S；第二N型掺杂N+2是器件的漏极D。
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