[发明专利]一种埋层外延超结二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201710564651.7 | 申请日： | 2017-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN107359116B | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 张正宇 | 申请（专利权）人： | 叶豪 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳峰诚志合知识产权代理有限公司 44525 | 代理人： | 李明香 |
| 地址： | 317000 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种埋层外延超结二极管及其制作方法。所述埋层外延超结二极管的制作方法包括：在第一N型外延层形成P型埋层；在所述第一N型外延层表面制作第二N型外延层并形成沟槽；在所述第二N型外延层的沟槽进行P型注入并在所述第二N型外延层形成P型注入区；在所述第二N型外延层表面形成P型外延层，所述P型外延层与所述第二N型外延层的P型注入区相接触；通过退火激活所述第一N型外延层的P型埋层和所述第二N型外延层的P型注入区的注入离子，并且在退火之后所述P型注入区延伸到与P型埋层相接触。本发明提供的埋层外延超结二极管的制作方法工艺简单，可以有效降低器件的制造成本，并提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 外延 二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
