[发明专利]一种埋层外延超结二极管及其制作方法

权利要求书

1.一种埋层外延超结二极管的制作方法，其特征在于，包括：

在第一N型外延层形成P型埋层；

在所述第一N型外延层表面制作第二N型外延层并形成沟槽；

在所述第二N型外延层的沟槽进行P型注入并在所述第二N型外延层形成P型注入区；

在所述第二N型外延层表面形成P型外延层，所述P型外延层与所述第二N型外延层的P型注入区相接触；

通过退火激活所述第一N型外延层的P型埋层和所述第二N型外延层的P型注入区的注入离子，并且在退火之后所述P型注入区延伸到与P型埋层相接触；

所述在第一N型外延层形成P型埋层的步骤包括：

提供一个硅衬底，并在所述硅衬底表面形成第一N型外延层；

以所述第一N型外延层表面的光刻胶作为掩膜制作出注入窗口；

通过所述注入窗口对所述第一N型外延层进行P型离子注入，从而在所述第一N型外延层形成所述P型埋层；

在所述第一N型外延层表面制作第二N型外延层并形成沟槽的步骤包括：

在所述P型埋层形成之后，去除所述第一N型外延层表面的光刻胶；

在所述第一N型外延层表面形成第二N型外延层，所述第二N型外延层覆盖所述P型埋层；

以所述第二N型外延层表面的光刻胶作为掩膜制作出刻蚀窗口；

利用所述刻蚀窗口，通过干法刻蚀工艺在所述第二N型外延层刻蚀出所述沟槽。

2.根据权利要求1所述的埋层外延超结二极管的制作方法，其特征在于，所述沟槽的P型注入包括垂直注入和倾斜注入，且所述P型注入区形成在沟槽底部和沟槽侧壁。

3.根据权利要求2所述的埋层外延超结二极管的制作方法，其特征在于，还包括：

在所述P型注入区形成之后，在所述第二N型外延层的沟槽填充多晶硅；其中所述多晶硅填满所述沟槽，并覆盖所述第二N型外延层的水平表面。

4.根据权利要求3所述的埋层外延超结二极管的制作方法，其特征在于，还包括：

通过干法刻蚀工艺去除所述第二N型外延层水平表面的多晶硅，且保留所述沟槽内部的多晶硅。

5.根据权利要求1所述的埋层外延超结二极管的制作方法，其特征在于，所述第二N型外延层的沟槽的位置与所述第一N型外延层的P型埋层的位置相对应。

6.根据权利要求5所述的埋层外延超结二极管的制作方法，其特征在于，所述P型注入区在所述第二N型外延层的横截面呈U型分布，并且其恰好位于所述第一N型外延层的P型埋层的上方。

7.根据权利要求1所述的埋层外延超结二极管的制作方法，其特征在于，还包括：

在所述P型外延层的表面和N型衬底的底面分别形成正面金属和背面金属；其中，所述正面金属和所述背面金属作为所述埋层外延超结二极管的金属电极。